[发明专利]用于薄膜太阳能电池的层结构和制造方法有效
申请号: | 201580062144.2 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN107112377B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 罗兰·伍尔兹;迈克尔·颇瓦拉;菲利普·杰克逊;迪米特里奥斯·哈里斯科斯 | 申请(专利权)人: | 巴登符腾堡太阳能和氢研究中心 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/062;H01L31/18 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳能电池 结构 制造 方法 | ||
1.一种用于薄膜太阳能电池的层结构,包括
光伏吸收剂层(5),所述光伏吸收剂层(5)至少在与所述光伏吸收剂层(5)的表面(6)邻近的区域中掺杂有至少一种碱金属,以及
氧化钝化层(8),所述氧化钝化层(8)位于所述光伏吸收剂层(5)的所述表面(6)上,所述氧化钝化层设计成保护所述光伏吸收剂层(5)免受腐蚀,
其中,所述氧化钝化层(8)内置于所述光伏吸收剂层(5)的所述表面(6)的边界区域中,从而包含来自于所述光伏吸收剂层(5)的所述表面(6)的材料,
其中,所述光伏吸收剂层(5)包含:Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,其中0≤x,y≤1,并且所述氧化钝化层(8)包含:(In,Ga)2O3和/或Mx(In,Ga)yOz,其中M=K、Rb、Cs并且其中0x、y、z;或者
所述光伏吸收剂层(5)包含:Cu2ZnSn(Se1-xSx)4,其中0≤x≤1,并且所述氧化钝化层(8)包含:ZnO和/或SnOx,其中x=1至2。
2.如权利要求1所述的层结构,其中,与所述光伏吸收剂层(5)的所述表面(6)邻近的所述区域被掺杂以使得其呈现p-n反转部(9)。
3.如权利要求1或2所述的层结构,其中,所述至少一种碱金属是铷和/或铯。
4.如权利要求1或2所述的层结构,其中,所述氧化钝化层(8)还包含Al2O3。
5.如权利要求1或2所述的层结构,其中,所述氧化钝化层(8)的厚度(D)在从1nm至50nm的范围内。
6.如权利要求1或2所述的层结构,其中,缓冲层(10)沉积在所述氧化钝化层(8)上。
7.一种用于制造如权利要求1至6中任一项所述的用于薄膜太阳能电池的层结构的方法,包括以下步骤:
a.在基底上生成光伏吸收剂层(5),所述光伏吸收剂层(5)至少在与所述光伏吸收剂层的表面(6)邻近的区域中掺杂有至少一种碱金属,以及
b.生成氧化钝化层(8),所述氧化钝化层(8)内置于所述光伏吸收剂层的所述表面的边界区域中,从而包含来自于所述光伏吸收剂层(5)的所述表面(6)的材料,所述氧化钝化层设计成保护所述光伏吸收剂层免受腐蚀,
其中,步骤b包括将所述表面(6)上的所述氧化钝化层(8)内置于所述光伏吸收剂层(5)中,从而所述光伏吸收剂层(5)在所述表面(6)上被转化,并且所述氧化钝化层(8)包含来自于所述光伏吸收剂层(5)的所述表面(6)的材料,
其中,所述光伏吸收剂层(5)包含:Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,其中0≤x,y≤1,并且所述氧化钝化层(8)包含:(In,Ga)2O3和/或Mx(In,Ga)yOz,其中M=K、Rb、Cs并且其中0x、y、z;或者
所述光伏吸收剂层(5)包含:Cu2ZnSn(Se1-xSx)4,其中0≤x≤1,并且所述氧化钝化层(8)包含:ZnO和/或SnOx,其中x=1至2。
8.如权利要求 7所述的方法,其特征在于,步骤a包括以下子步骤:
ax.生成所述光伏吸收剂层(5),以及
az.至少在与所述光伏吸收剂层的所述表面(6)邻近的所述区域中使所述光伏吸收剂层掺杂有所述至少一种碱金属。
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