[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：

第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上并且包括第一发光层和第二发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上，并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中

所述第一发光层具有：第一基底层，所述第一基底层具有使所述第一基底层从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被分割成随机网状的多个第一基底区段，所述第一基底区段的各自的上表面具有第一平坦部；第一量子阱层，所述第一量子阱层保留了所述第一基底区段的区段形状，并且形成在所述第一基底层上；以及第一势垒层，所述第一势垒层具有通过嵌入所述第一基底层和所述第一量子阱层而被平坦化的平坦表面，并且

所述第二发光层具有：第二基底层，所述第二基底层具有使所述第二基底层从所述第一势垒层受到应力应变的组分，并且具有被分割成随机网状的多个第二基底区段，所述第二基底区段的各自的上表面具有第二平坦部；第二量子阱层，所述第二量子阱层保留了所述第二基底区段的区段形状，并且形成在所述第二基底层上；以及第二势垒层，所述第二势垒层形成在所述第二量子阱层上。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一基底层和所述第二基底层的层厚度彼此不同。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述多个第二基底区段在所述第二基底层的面内的平均尺寸与所述多个第一基底区段在所述第一基底层的面内的平均尺寸不同。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第一半导体层具有GaN组分，

所述第一基底层和所述第二基底层各具有AlN组分或AlGaN组分，并且

所述第一量子阱层和所述第二量子阱层各具有InGaN组分。

5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其中，所述第一基底层和所述第二基底层的Al组分彼此不同。

6.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其中，

所述第一势垒层具有：第一子势垒层，所述第一子势垒层形成在第一阱层上，并且由In组分比所述第一阱层少的InGaN构成；以及第二子势垒层，所述第二子势垒层形成在所述第一子势垒层上并且由GaN构成；并且

所述第二子势垒层具有平坦表面。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述发光功能层具有第三发光层，所述第三发光层在所述第一半导体层与所述第一发光层之间具有至少一个第三量子阱层和多个第三势垒层；并且

所述多个第三势垒层中最靠近所述第一发光层的第三势垒层具有与所述第一半导体层的组分相同的组分。