[发明专利]过冷却解除物质及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580061056.0 申请日: 2015-11-12
公开(公告)号: CN107001920B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 外山泰弘;川北美香;岩濑胜则;真贝孟;熊野宽之 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: C09K5/06 分类号: C09K5/06;C07C211/63
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;金世煜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 冷却 解除 物质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种过冷却解除物质,解除含有因冷却至水合物生成温度以下而生成水合物的1种以上的烷基卤化铵水溶液的蓄冷材料的过冷却状态,其含有:

所述蓄冷材料所含的烷基铵离子,和

以所述蓄冷材料所含的卤族元素为构成要素的金属卤化物离子,

所述金属卤化物离子所含的金属元素为Ag、Zn中的至少一者,

所述烷基铵离子由通式[N(CnH2n+1)4]+表示,n为1~7中的任一者。

2.根据权利要求1所述的过冷却解除物质,其中,构成所述金属卤化物离子的卤族元素为Br。

3.根据权利要求1或2所述的过冷却解除物质,其中,所述烷基卤化铵包含四丁基溴化铵。

4.一种过冷却解除物质的制造方法,是解除含有因冷却至水合物生成温度以下而生成水合物的1种以上的烷基卤化铵水溶液的蓄冷材料的过冷却状态的过冷却解除物质的制造方法,

其中,所述过冷却解除物质含有所述蓄冷材料所含的烷基铵离子和以所述蓄冷材料所含的卤族元素为构成要素的金属卤化物离子,

所述烷基铵离子由通式[N(CnH2n+1)4]+表示,n为1~7中的任一者,

并且,具备对所述烷基卤化铵水溶液施加电压的步骤,

在所述电压的施加中,利用一对电极对所述烷基卤化铵水溶液施加电压,

所述电极材料为Ag、Zn中的任一者。

5.一种过冷却解除物质的制造方法,

是解除含有因冷却至水合物生成温度以下而生成水合物的1种以上的烷基卤化铵水溶液的蓄冷材料的过冷却状态的过冷却解除物质的制造方法,

其中,所述过冷却解除物质含有所述蓄冷材料所含的烷基铵离子和以所述蓄冷材料所含的卤族元素为构成要素的金属卤化物离子,

所述烷基铵离子由通式[N(CnH2n+1)4]+表示,n为1~7中的任一者,

并且,具备在所述蓄冷材料中添加至少Ag、Cu、Fe或Zn中的任一者的单质金属的步骤。

6.根据权利要求4所述的过冷却解除物质的制造方法,其中,构成所述金属卤化物离子的卤族元素为Br。

7.根据权利要求4~6中任一项所述的过冷却解除物质的制造方法,其中,所述烷基卤化铵包含四丁基溴化铵。

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