[发明专利]高电压重置MEMS麦克风网络和检测其缺陷的方法有效
申请号: | 201580060812.8 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN107079224B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | M.泽莱兹尼克 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H04R19/00 | 分类号: | H04R19/00 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 毕铮;杜荔南 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 重置 mems 麦克风 网络 检测 缺陷 方法 | ||
1.一种检测MEMS麦克风传感器接口电路的高阻抗网络中的缺陷的方法,所述方法包括:
向高电压高阻抗网络添加高电压重置开关;
在MEMS麦克风传感器接口电路的启动阶段期间闭合高电压重置开关;
在启动阶段期间闭合低电压高阻抗网络的低电压重置开关;
在启动阶段的结尾处使高电压重置开关和低电压重置开关同时开路;以及
在使高电压重置开关和低电压重置开关开路之后立即检测高电压高阻抗网络或低电压高阻抗网络中的缺陷。
2.如权利要求1所述的方法,其中缺陷是MEMS麦克风传感器接口电路的偏置节点与地之间的漏电流。
3.如权利要求1所述的方法,其中缺陷是MEMS麦克风传感器接口电路的偏置节点与MEMS麦克风传感器接口电路的感测节点之间的漏电流。
4.如权利要求1所述的方法,其中缺陷由颗粒、表面污染或体块材料缺陷导致。
5.如权利要求1所述的方法,其中缺陷是通过高电压高阻抗网络或低电压高阻抗网络的反并联二极管的一个或多个二极管的漏电流。
6.一种高电压重置MEMS麦克风传感器接口电路,所述电路包括:
电荷泵;
低电压高阻抗网络,其耦合到直流电位和感测节点,低电压高阻抗网络包括一组反并联二极管和低电压重置开关;
高电压高阻抗网络,其耦合到电荷泵和偏置节点,高电压高阻抗网络包括一组反并联二极管和高电压重置开关;
感测电容器,其耦合在感测节点与偏置节点之间;
高阻抗放大器,其耦合到感测节点;以及
输出电容器,其耦合在偏置节点与地之间;
其中低电压重置开关和高电压重置开关在MEMS麦克风传感器接口电路的启动阶段期间闭合并且在启动阶段的结尾处同时开路。
7.如权利要求6所述的高电压重置MEMS麦克风传感器接口电路,其中在低电压重置开关和高电压重置开关开路之后立即检测低电压高阻抗网络或高电压高阻抗网络中的缺陷。
8.如权利要求7所述的高电压重置MEMS麦克风传感器接口电路,其中缺陷是MEMS麦克风传感器接口电路的偏置节点与地之间的漏电流。
9.如权利要求7所述的高电压重置MEMS麦克风传感器接口电路,其中缺陷是MEMS麦克风传感器接口电路的偏置节点与MEMS麦克风传感器接口电路的感测节点之间的漏电流。
10.如权利要求7所述的高电压重置MEMS麦克风传感器接口电路,其中缺陷由颗粒、表面污染或体块材料缺陷导致。
11.如权利要求7所述的高电压重置MEMS麦克风传感器接口电路,其中缺陷是通过高电压高阻抗网络或低电压高阻抗网络的反并联二极管的一个或多个二极管的漏电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580060812.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。