[发明专利]具有均匀且高纵横比的纳米间隙的柱阵列结构

权利要求书

1.一种装置，包括：

入口，被配置为接收流体；

出口，被配置为排出所述流体；以及

纳米柱阵列，连接到所述入口和所述出口，所述纳米柱阵列被配置为允许所述流体从所述入口流到所述出口；

其中所述纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱；

其中所述纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙；以及

其中所述间隙被构造为在纳米尺度范围中，

其中所述纳米柱阵列包括施加在所述纳米柱上的氧化物层，所述氧化物层使得所述纳米柱的直径的不匀整变得均匀，从而使得所述间隙沿着所述一个纳米柱和所述另一个纳米柱的垂直轴均匀。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个纳米柱在所述另一个纳米柱的一侧，使得所述间隙在所述一个纳米柱与所述另一个纳米柱之间。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个纳米柱与所述另一个纳米柱之间的所述间隙沿着所述一个纳米柱和所述另一个纳米柱的垂直轴是均匀的。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述氧化物层使得所述间隙的大小小至约20纳米同时所述间隙保持均匀。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述氧化物层厚度的增加导致所述间隙的大小减小。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述间隙的大小小于100纳米。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述间隙的大小小于300纳米。

8.根据权利要求1所述的装置，其中单层被施加到所述纳米柱以减小所述间隙的大小；以及

其中具有减小的大小的所述间隙被配置为相对于当没有向所述纳米柱施加所述单层时分离更小的实体。

9.一种提供流体装置的方法，所述方法包括：

提供被配置为接收流体的入口；

提供被配置为排出所述流体的出口；

将纳米柱阵列耦合到所述入口和所述出口，所述纳米柱阵列被配置为允许所述流体从所述入口流到所述出口；

其中所述纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱；

其中所述纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙；以及

其中所述间隙被构造为在纳米尺度范围中，

其中所述纳米柱阵列包括施加在所述纳米柱上的氧化物层，其中所述氧化物层使得所述纳米柱的直径的不匀整变得均匀，从而使得所述间隙沿着所述一个纳米柱和所述另一个纳米柱的垂直轴均匀。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个纳米柱在所述另一个纳米柱的一侧，使得所述间隙在所述一个纳米柱与所述另一个纳米柱之间。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个纳米柱与所述另一个纳米柱之间的所述间隙沿着所述一个纳米柱和所述另一个纳米柱的垂直轴是均匀的。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述氧化物层使得所述间隙的大小小至约20纳米同时所述间隙保持均匀。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述氧化物层厚度的增加导致所述间隙的大小减小。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述间隙的大小小于100纳米。

15.根据权利要求9所述的方法，其中单层被施加到所述纳米柱以减小所述间隙的大小；以及

其中具有减小的大小的所述间隙被配置为相对于当没有向所述纳米柱施加所述单层时分离更小的实体。