[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：

第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上，并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上，并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中

所述发光层具有：基底层，所述基底层具有从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被多个组合凹槽分割成随机网状的多个基底区段，所述多个基底区段具有随机尺寸；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层嵌入所述基底层而形成，并且由至少一个量子阱层和至少一个势垒层构成，并且

所述基底层具有由具有不同Al组分的AlGaN构成的多个子基底层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

所述第一半导体层具有GaN的组分；

所述至少一个量子阱层各具有InGaN的组分；并且

所述基底层具有包括第一子基底层和第二子基底层在内的所述多个子基底层，其中，所述第二子基底层被形成为比所述第一子基底层更靠近所述第二半导体层侧，并且具有比所述第一子基底层的Al组分更多的Al组分。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述基底层具有第一子基底层和第二子基底层依次重复层叠了多次的结构。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述基底层具有引起载流子的隧道效应的层厚度。

5.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述第二子基底层具有AlN的组分。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述发光功能层具有层叠了多个发光层的结构。

7.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其中，所述多个发光层的所述基底层的组分彼此不同。

8.根据权利要求6所述的半导体发光元件，其中，所述发光功能层在所述第一半导体层与所述多个发光层中最靠近所述第一半导体层的发光层之间具有量子阱结构的发光层，所述量子阱结构由至少一个量子阱层和多个势垒层构成。