[发明专利]交叉点存储器及其制造方法

说明书

一种交叉点存储器阵列包含多个可变电阻存储器单元柱。邻近存储器单元柱由包含掩埋式空隙的经部分填充间隙分离。另外，邻近存储器单元柱包含至少部分插置有所述掩埋式空隙的存储材料元件。

交叉参考

本申请案主张2014年11月7日提出申请的标题为“交叉点存储器及其制造方法”的第14/535,731号美国专利申请案的优先权，所述专利申请案出于所有目的而以全文引用的方式并入。

技术领域

所揭示技术一般来说涉及集成电路装置，且特定来说涉及交叉点存储器阵列及用于制造交叉点存储器阵列的方法。

背景技术

一些存储器装置包含可变电阻存储器单元，所述可变电阻存储器单元可直接或间接响应于电信号(例如电压或电流脉冲)而在高电阻状态与低电阻状态之间切换。在切换目标可变电阻存储器单元时，可干扰相邻单元。此干扰可在存储器单元在尺寸上进行缩放时由于邻近存储器单元之间的增加的接近度而变得较显著。因此，需要在切换存储器装置(例如可变电阻存储器装置)中的目标存储器单元同时减少相邻存储器单元的干扰。

附图说明

在说明书的结束部分中特别指出所主张的标的物。然而，可通过在与所附图式一起阅读的情况下参考以下详细描述而较佳理解所主张的标的物的特定目标、特征及/或优点，在所附图式中：

图1A是根据现有技术的在平行于下部导电线的第一方向上截取的包含相变材料的存储器阵列的示意性垂直横截面。

图1B是根据现有技术的在垂直于第一方向且平行于上部导电线的第二方向上截取的图1A的存储器阵列的示意性垂直横截面。

图2A是根据实施例的在平行于下部导电线的第一方向上截取的包含相变材料的存储器阵列的示意性垂直横截面。

图2B是在垂直于第一方向且平行于上部导电线的第二方向上截取的图2A的存储器阵列的示意性垂直横截面。

图2C是在垂直于第一及第二方向且平行于下伏衬底表面的第三方向上截取的图2A及2B的存储器阵列的示意性水平横截面。

图3A到3C是根据各种实施例的类似于图2B而在平行于上部导电线的第二方向上截取的包含相变材料的存储器阵列的示意性垂直横截面。

图4A、4C、4E、4G及4I是根据一些实施例的在平行于下部导电线的第一方向上截取的在各种制造阶段处的包含相变材料的存储器阵列的中间结构的示意性垂直横截面。

图4B、4D、4F、4H及4J是根据一些实施例的在垂直于第一方向且平行于上部导电线的第二方向上截取的分别对应于图4A、4C、4E、4G及4I的中间结构的示意性垂直横截面。

图式中的特征未必按比例绘制且可从所图解说明处在不同方向上延伸。尽管为便利本文中的论述且展示根据特定实施例的不同部分的相对定向而图解说明各种轴及方向，但将了解，所述特征可在不同方向上延伸。

具体实施方式

一些存储器装置包含存储器单元，所述存储器单元可直接或间接响应于电信号(例如电压或电流脉冲)而在高电阻状态与低电阻状态之间切换。此些存储器单元有时称作可变电阻存储器单元。在一些可变电阻改变存储器单元中，在写入存取操作期间的电阻的改变可至少部分与由电信号产生的热相关联。如本文中所使用，写入存取操作可为编程或擦除操作。对于可变电阻存储器单元，编程操作也可称为复位操作，其可将存储器单元的电阻状态从相对低电阻状态改变到相对高电阻状态。类似地，擦除操作(其针对可变电阻存储器也可称为设定操作)可将存储器单元的电阻状态从相对高电阻状态改变到相对低电阻状态。将理解，对于指的是用于对可变电阻存储器单元施加不同存储器状态的写入操作，以上术语为任意的但常规的。