[发明专利]由折射及具有磁化率的波的速度上的变化测量温度的方法

权利要求书

1.一种热传感器，包括：

传送器，所述传送器经构造以传送电磁波至基板的近侧；

接收器，所述接收器经构造以自所述基板的远侧接收在所述基板内折射并穿过所述基板的电磁波，所接收的所述电磁波具有自所传送的所述电磁波的位移；以及

控制器，所述控制器经构造以控制所述传送器及所述接收器，其中控制器经构造以造成所述传送器在测量的初始位置处传送所述电磁波向所述基板的近侧，其中所述控制器进一步经构造以在相对于所述初始位置的第二测量位置处测量经折射的电磁波的位移，所述经折射的电磁波由所述接收器接收自所述基板的远侧，其中可操作所述控制器以自所传送的所述电磁波与所接收的所述电磁波之间的测量位移来确定温度。

2.如权利要求1所述的热传感器，其中当自所传送的所述电磁波及所接收的所述电磁波之间的所述测量位移确定所述温度时，可操作所述控制器以确定所述温度为折射及密度的变化的函数。

3.如权利要求1所述的热传感器，其中自所传送的所述电磁波与所接收的所述电磁波之间的所述测量位移确定所述温度时，可操作所述控制器以确认所述温度为所接收的所述电磁波的速度中的变化的函数。

4.如权利要求1所述的热传感器，其中所述传送器经构造以产生无线电波。

5.如权利要求4所述的热传感器，其中所述传送器经构造以产生连续无线电波。

6.如权利要求4所述的热传感器，其中所述传送器经构造以产生脉冲无线电波。

7.如权利要求4所述的热传感器，其中所述传送器具有约250摄氏度与2500摄氏度之间的操作温度。

8.一种处理腔室，包括：

腔室主体；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述腔室主体的内部容积中；

传送器，所述传送器经定向以经过设置于所述基板支撑件上的基板的近侧来传送电磁波；

接收器，所述接收器经定向以自所述基板的远侧接收在所述基板内折射并穿过所述基板的电磁波，并且所述电磁波由所述传送器发射，所接收的所述电磁波具有自所传送的所述电磁波的位移；以及

控制器，所述控制器经构造以控制所述传送器及所述接收器，其中所述控制器经构造以造成所述传送器在测量的初始位置处传送所述电磁波向所述基板的近侧，其中所述控制器进一步经构造以在相对于所述初始位置的第二测量位置处测量经折射的电磁波的位移，所述经折射的电磁波由所述接收器接收自所述基板的远侧，其中可操作所述控制器以自所传送的所述电磁波与所接收的所述电磁波的磁场变化来确定一温度，其中所述磁场变化为所接收的所述电磁波与所折射的所述电磁波之间的测量位移。

9.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述腔室主体包括：

下方圆顶；

上方圆顶；以及

辐射加热灯具阵列，在基板前穿过所述下方圆顶而安置所述辐射加热灯具阵列，所述基板设置于所述基板支撑件上。

10.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述传送器及所述接收器经定向以斜向所述基板支撑件的基板支撑表面。

11.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述传送器及所述接收器经定向为在彼此约5度的范围内。

12.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述传送器经构造以产生无线电波。

13.如权利要求12所述的处理腔室，其中所述传送器经构造以产生连续无线电波。

14.如权利要求12所述的处理腔室，其中所述传送器经构造以产生脉冲无线电波。

15.如权利要求12所述的处理腔室，其中所述传送器具有约250摄氏度与2500摄氏度之间的操作温度。