[发明专利]等离子体处理装置与系统以及控制离子束的方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

萃取板，沿等离子体室的侧配置，所述萃取板具有第一孔洞、第二孔洞以及所述第一孔洞及所述第二孔洞之间的中间部分，所述第一孔洞及所述第二孔洞用以在等离子体存在于所述等离子体室中且萃取电压施加于所述萃取板与基板之间时定义第一离子束及第二离子束；

隐藏偏向电极，配置于所述等离子体室外邻近所述中间部分处，且电性绝缘于所述萃取板；以及

隐藏偏向电极电源，用以施加偏压至所述隐藏偏向电极，其中所述偏压用以修改所述第一离子束及所述第二离子束中离子的入射平均角及围绕所述入射平均角的入射角范围其中至少一个。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述萃取板形成第一等离子体弯月面及第二等离子体弯月面，以从中分别形成所述第一离子束及所述第二离子束。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述萃取板还包括所述第一孔洞外所述萃取板的第一外部分，以及所述第二孔洞外与所述第一外部分共面的所述萃取板的第二外部分，其中所述中间部分与所述第一外部分及所述第二外部分非共面。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括隐藏聚焦电极，配置于所述等离子体室外邻近所述隐藏偏向电极处，且电性绝缘于所述萃取板及所述隐藏偏向电极。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中所述隐藏聚焦电极包括配置于邻近所述中间部分处的第三孔洞，其中所述第三孔洞用以让所述第一离子束及所述第二离子束穿越。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，还包括第二隐藏聚焦电极电源，用以施加第二偏压至所述隐藏聚焦电极，其中施加至所述隐藏聚焦电极的所述第二偏压用以调整所述第一离子束及所述第二离子束的一或多个所述入射角范围以及所述入射平均角。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述萃取板包括第三孔洞、第四孔洞以及配置于所述第三孔洞与所述第四孔洞之间的第二中间部分，所述第三孔洞及所述第四孔洞用以在所述等离子体存在于所述等离子体室中且所述萃取电压施加于所述萃取板与所述基板之间时定义第三离子束及第四离子束，且所述等离子体处理装置还包括：

第二隐藏偏向电极，配置于所述等离子体室外邻近所述第二中间部分处，且电性绝缘于所述萃取板；以及

第二隐藏偏向电极电源，用以施加第二偏压至所述第二隐藏偏向电极，且所述第二偏压与施加至所述隐藏偏向电极的所述偏压无关。

8.一种等离子体处理系统，其特征在于，包括：

等离子体源，耦接至等离子体室以于所述等离子体室中产生等离子体；

萃取板，沿所述等离子体室的侧配置，所述萃取板具有第一孔洞、第二孔洞以及所述第一孔洞及所述第二孔洞之间的中间部分，并用以在所述等离子体存在于所述等离子体室中且萃取电压施加于所述萃取板与基板之间时定义第一离子束及第二离子束；

隐藏偏向电极，配置于所述等离子体室外邻近所述中间部分处，且电性绝缘于所述萃取板；以及

隐藏偏向电极电源，用以施加偏压至所述隐藏偏向电极，其中所述偏压用以修改所述第一离子束及所述第二离子束中离子的入射平均角及围绕所述入射平均角的入射角范围其中至少一个。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理系统，其中所述萃取板还包括所述第一孔洞外所述萃取板的第一外部分，所述第二孔洞外与所述第一外部分共面的所述萃取板的第二外部分，其中所述中间部分远离所述第一外部分及所述第二外部分而延伸进入所述等离子体室，且所述中间部分与所述第一外部分及所述第二外部分非共面。