[发明专利]用于扫描器头的间隙和位移磁性传感器系统有效
| 申请号: | 201580059695.3 | 申请日: | 2015-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN107250713B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | R.E.贝塞尔特 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔有限公司 |
| 主分类号: | G01B7/14 | 分类号: | G01B7/14;B65H26/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李雪娜;张涛 |
| 地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 造纸 其它 系统 中的 扫描器 间隙 位移 磁性 传感器 | ||
1.一种用于维持针对扫描传感器头的三个主方向上的头对头对准的方法,包括:
生成磁场(550、552);
通过多个磁场取向传感器(514x-514z)通过以下步骤来捕获(910)磁场的测量:
通过第一磁场取向传感器(514x)测量参照参考场角度的第一方向上的磁场的场角度,其中第一磁场取向传感器被布置成与其中第一磁场取向传感器感测参考场角度的磁场的中心线(552)大体对准,
通过第二磁场取向传感器(514z)测量由第一方向和第二方向定义的平面(716)中的磁场的场角度,其中第二磁场取向传感器被布置成从磁场的中心线偏移,使得来自第一磁场取向传感器和第二磁场取向传感器中的至少一个的输出测量间隙间隔和第一方向上的位移的组合,
其中第一方向是横向方向,第二方向是头对头间隙方向,并且第一方向和第二方向彼此正交;
使用磁场的测量标识(915)(i)第一扫描传感器头(414a)和第二扫描传感器头(414b)在第一方向上的位移以及(ii)第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第二方向上的间隙间隔。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
第一磁场取向传感器和第二磁场取向传感器被布置在相同平面(716)中或由第一方向和第二方向定义的平行平面中。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:横过材料的带状物(102)的表面移动第一扫描传感器头和第二扫描传感器头并且捕获(910)与带状物相关联的测量。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括:基于以下测量中的至少一个而调节(955)与带状物相关联的测量:
第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第一方向上的位移;
第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第二方向上的间隙间隔。
5.一种用于维持针对扫描传感器头的三个主方向上的头对头对准的系统,包括:
第一扫描传感器头(414a),其包括被配置成生成磁场(550、552)的磁体(512);
第二扫描传感器头(414b),其包括多个磁场取向传感器,所述多个磁场取向传感器被配置成捕获磁场的测量以便标识(i)第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第一方向上的位移以及(ii)第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第二方向上的间隙间隔,所述多个磁场取向传感器包括:
第一磁场取向传感器,其被配置成测量参照参考场角度的第一方向上的磁场的场角度,其中第一磁场取向传感器被布置成与其中第一磁场取向传感器感测参考场角度的磁场的中心线(552)大体对准,
第二磁场取向传感器,其被配置成测量由第一方向和第二方向定义的平面(716)中的磁场的场角度,其中第二磁场取向传感器被布置成从磁场的中心线偏移,使得来自第一磁场取向传感器和第二磁场取向传感器中的至少一个的输出测量间隙间隔和第一方向上的位移的组合,
其中第一方向是横向方向,第二方向是头对头间隙方向,并且第一方向和第二方向彼此正交;
处理电路(306a),其被配置成使用磁场的测量来标识(i)第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第一方向上的位移以及(ii)第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第二方向上的间隙间隔。
6.根据权利要求5所述的系统,其中:
(716)第一磁场取向传感器和第二磁场取向传感器被布置在相同平面中或由第一方向和第二方向定义的平行平面中。
7.根据权利要求5所述的系统,还被配置成横过材料的带状物(102)的表面移动第一扫描传感器头和第二扫描传感器头并且捕获(910)与带状物相关联的测量。
8.根据权利要求7所述的系统,其中所述处理电路还被配置成基于以下测量中的至少一个而调节(955)与带状物相关联的测量:
第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第一方向上的位移;
第一扫描传感器头和第二扫描传感器头在第二方向上的间隙间隔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔有限公司,未经霍尼韦尔有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580059695.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





