[发明专利]基于MEMS的三维离子阱装置及其制造方法

权利要求书

1.一种离子阱装置，其在基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，

该离子阱装置的特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相隔一定距离而分离的空间内形成离子阱区域，

所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨沿着所述离子阱装置的长度方向并行布置，

所述第一RF电极轨位于所述一侧的上部，所述一个以上的第二DC电极位于所述一侧的下部，所述一个以上的第一DC电极位于所述另一侧的上部，所述第二RF电极轨位于所述另一侧的下部，

该离子阱装置具有连接至形成于所述基板的一侧的第一内部部分、所述离子阱区域和形成于所述基板的另一侧的第二内部部分的激光贯穿路径。

2.如权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，

当所述一个以上的第一DC电极和所述一个以上的第二DC电极分别具有多个时，所述一个以上的第一DC电极和所述一个以上的第二DC电极分别沿着所述长度方向并行布置。

3.如权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，

所述激光贯穿路径的方向由所述宽度方向和所述长度方向之间的方向形成。

4.如权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，

在与所述激光贯穿路径的位置对应的所述基板的上侧和下侧中的至少一侧形成有多个工程孔。

5.如权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，

在所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨中所述分离的空间的相反一侧以规定间隔分别排列一个以上的侧方DC电极。

6.一种离子阱装置的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

在半导体基板上蒸镀导电膜而形成电极图案，该电极图案以预先设定的离子阱区域的位置为基准，布置第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极；

为了在所述基板的内部形成从所述基板的外侧面连接至所述离子阱区域的激光贯穿路径，在与所述激光贯穿路径的位置对应之处的基板的上侧和下侧形成多个工程孔；

在与所述离子阱区域的位置对应之处的基板上形成贯穿孔；以及

沿着所述工程孔及所述贯穿孔形成所述离子阱区域和所述激光贯穿路径。

7.一种离子阱装置的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

为了在基板的内部形成从所述基板的外侧面连接至预先设定的离子阱区域的激光贯穿路径，在与所述激光贯穿路径的位置对应之处的基板的上侧和下侧形成多个工程孔；

沿着所述工程孔形成所述离子阱区域和所述激光贯穿路径；

在所述基板上蒸镀导电膜而形成电极图案，该电极图案以所述离子阱区域的位置为基准，布置第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极；以及

在与所述离子阱区域的位置对应之处的基板上形成贯穿孔，沿着所述贯穿孔形成所述离子阱区域。