[发明专利]用于非易失性存储器系统的控制器集成电路及其操作方法

说明书

控制器电路的定时和功耗取决于工艺、电压和温度。如果所述控制器ASIC可在运行时间期间测量平均电压电平，则固件可使用此信息来调整用于最佳速度/功率性能的电压。电压检测器生成例如3位的输出，其中，三位总线的每个状态表示电压带。这些位然后可由所述固件用来微调适合的调节器以升高/降低所述电压。这可针对核电压和I/O电压两者来进行。所述固件可被进一步优化成将温度检测器和工艺检测器连同电压带检测器的状态考虑在内以便优化系统性能。

技术领域

本申请涉及确定并调整集成电路(诸如非易失性存储器控制器)上的核操作电压的技术。

背景技术

非易失性存储器设备的控制器电路频繁地具有电压调节器。所述调节器的电压电平取决于工艺。在晶片分类过程中，针对适当的电压电平来测试每个裸片上的每个电压调节器，并且所述调节器被微调以便提供所需的电压电平。微调的值则可存储在电路上的一次性可编程存储器中。下一次，当裸片被上电时，可读取存储在一次性可编程存储器中的值，并且将调节器的电压电平升高/降至期望的水平。还可针对ASI C上的其他调节器重复以上程序。

虽然此技术可用于调整控制器的操作电压，但是其需要微调过程并且微调值需要存储在一次性程序中，从而使用宝贵的电路区域。进一步地，虽然微调在设置时可能是准确的，但是在操作条件下随着时间或变化，准确性可能不是这么好。

发明内容

非易失性存储器系统的控制器集成电路包括可连接的电压调节器、电压检测器、以及核处理部分。所述电压调节器可连接至电源以便生成调节电压并将此调节电压供应给所述控制器电路的第一部分，其中，所述电压调节器响应于控制信号而调节所述第一调节电压的电平。所述电压检测器被连接用于接收来自所述控制器电路的所述第一部分的参考电压和内部电压电平，并且确定在操作的同时所述第一部分的所述内部电压电平的平均值落在多个电压范围中的哪个电压范围内，并且从中生成对其电平进行指示的第一信号。所述核处理部分包括逻辑电路，所述逻辑电路被连接用于向所述电压调节器供应所述控制信号并且被连接用于接收所述第一信号并且响应于此第一信号而微调所述控制信号的值。

各个方面、优点、特征和实施例被包括在其示例性示例的以下描述中，所述描述应该结合附图来考虑。为了所有目的将在此参考的所有专利、专利申请、论文、其他出版物、文献和事物通过对其全部引用结合在此。至于在任何所并入的出版物、文献或事物与本申请之间在术语的定义或使用上的任何不一致或者矛盾之处，应以本申请的定义或使用为准。

附图说明

图1示意性地展示了适合于实现以下描述的各方面的存储器系统的主要硬件部件。

图2示意性地展示了非易失性存储器单元。

图3展示了对于浮置栅极可以在固定的漏极电压处在任一时刻选择性地存储的四个不同电荷Q1-Q4的源极-漏极电流I_D与控制栅极电压V_CG之间的关系。

图4示意性地展示了组织为NAND串的一串存储器单元。

图5展示了由诸如图4所示的NAND串50构成的存储器单元的NAND阵列 210的示例。

图6展示了并行感测或者编程的以NAND配置组织的存储器单元的页。

图7A至图7C展示了编程存储器单元群体的示例。

图8示出了3-D NAND串的物理结构的示例。

图9至图12关注NAND类型(更具体地，“Bi CS”类型)的具体单片式三维(3D)存储器阵列。

图13是控制器简化框图，展示了示例性实施例的各方面。

具体实施方式

存储器系统