[发明专利]具有可调谐输入网络的多赫蒂功率放大器有效

专利信息
申请号: 201580057675.2 申请日: 2015-11-06
公开(公告)号: CN107078698B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: K.达塔;R.卡斯纳维;A.A.利亚林;Y.史 申请(专利权)人: 天工方案公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/24;H03F3/72;H04B1/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 于小宁
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 调谐 输入 网络 多赫蒂 功率放大器
【说明书】:

具有可调谐输入网络的多赫蒂功率放大器。用于多赫蒂功率放大器的输入网络可以包括分路器电路,被配置为接收射频(RF)信号并且将RF信号分支成沿到多赫蒂功率放大器的载波放大器的第一路径的第一部分和沿到多赫蒂功率放大器的峰值放大器的第二路径的第二部分。该输入网络还可包括沿第一路径和第二路径中任一者或两者实现的可调谐输入电路。可调谐输入电路可被配置为提供对所述第一部分和所述第二部分中任一者或两者的幅度和相位的控制。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年10月25日提交的题为“PROGRAMMABLE INPUT NETWORK WITHAMPLITUDE AND PHASE CONTROL FOR LINEARIZED BROAD-BAND DOHERTY POWERAMPLIFIER”的美国临时申请No.62/068,629的优先权,谨此通过引用将其公开内容整体明确地并入本文。

技术领域

本公开一般地涉及射频(RF)功率放大器(PA)。

背景技术

多模式/多频带(MMMB)功率放大器模块(PAM)可能在例如4G LTE市场中面临来自包络跟踪(ET)PAM的竞争。为了在这样的市场中成功,对于MMMB PAM而言,期望提供超过现有MMMB PAM的显著性能提升并且还能够与基于ET的PAM竞争(基于成本、性能和大小)。

在4G LTE标准中,诸如OFDMA(正交频分多址)和SC-FDMA(单载波FDMA)的新型调制协议可被用来在例如5MHz-20MHz以及甚至40MHz的可伸缩的信道带宽中支持高数据率。在4G LTE通信协议中的可变信道带宽上使用许多独立调制子载波的高数据率传输通常对于发送器而言以高峰值与平均功率比(PAPR)为代价。从功率放大器的角度来说,由于功率放大器通常在大多数时间需要操作在深回退(deep-back-off)模式、远离其峰值效率点以防止对传输信号的限幅,所以高PAPR调制方案通常转变成低的平均效率。因此,对于4G标准而言,期望可甚至在显著回退条件下以高线性度和高PAE操作的功率放大器的新型构造。

针对在回退下的效率提升,与包络跟踪PAM相比,多赫蒂(doherty)PAM能够在回退下以高线性度满足高效率、具有大幅降低的系统复杂度和减少的校准及数字预失真(DPD)规格。但是,由于现有多赫蒂功率组合器的窄带性质,所以某些多赫蒂功率放大器构造是带宽受限的。进一步,由于动态地改变负载线,某些多赫蒂PAM可能在回退时具有大幅AM-AM(幅度调制到幅度调制)和AM-PM(幅度调制到相位调制)失真,其可能影响在4G LTE通信标准的额定功率级别处可获得的FOM(品质因数)。对于宽带多赫蒂PAM而言,在回退条件下能够控制这样的失真可能是所希望的,特别是当在宽带上实施该宽带多赫蒂PAM时。

发明内容

根据某些实施方案,本公开涉及用于多赫蒂功率放大器的输入网络。输入网络包括分路器电路,被配置为接收射频(RF)信号并且将该RF信号分支成沿第一路径到多赫蒂功率放大器的载波放大器的第一部分和沿第二路径到多赫蒂功率放大器的峰值放大器的第二部分。所述输入网络还包括沿第一路径和第二路径中的任一者或两者实现的可调谐输入电路。可调谐输入电路被配置为提供对所述第一部分和所述第二部分中的任一者或两者的幅度和相位的控制。

某些实施例中,可调谐输入电路可包括RC电路。某些实施例中,RC电路可包括沿第一路径的第一电容器、在第一电容器和载波放大器之间处于旁路配置的第一电阻器、沿第二路径的第二电阻器和在第二电阻器和峰值放大器之间处于旁路配置的第二电容器。某些实施例中,第一电容器、第一电阻器、第二电容器和第二电阻器可以每个都是可调谐的。某些实施例中,第一电容器和第二电容器可以各自包括可开关的电容器组,并且第一电阻器和第二电阻器可以各自包括可开关的电阻器组。

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