[发明专利]离子束蚀刻方法和离子束蚀刻设备

权利要求书

1.一种离子束蚀刻方法，其在离子束蚀刻设备中进行，所述离子束蚀刻设备包括：离子源，用于向基板发射离子束；基板保持器，用于保持所述基板并改变所述基板相对于所述离子源的倾斜角；以及遮光器，其具有使所述离子束通过的开口部并且能够改变所述开口部相对于所述基板的位置，其特征在于，所述离子束蚀刻方法包括以下步骤：

保持所述基板，以使得随着通过所述开口部的离子束入射到所述基板的位置的中心与所述离子源的距离的增大，所述倾斜角变小；以及

利用通过所述开口部的离子束来蚀刻所述基板。

2.根据权利要求1所述的离子束蚀刻方法，其特征在于，

在改变所述开口部相对于所述基板的位置的状态下蚀刻所述基板。

3.根据权利要求1所述的离子束蚀刻方法，其特征在于，

改变所述开口部相对于所述基板的位置，并且蚀刻所述基板。

4.根据权利要求1所述的离子束蚀刻方法，其特征在于，随着所述位置的中心与所述离子源的距离的增大来改变蚀刻时间。

5.一种离子束蚀刻设备，包括：

离子源，用于向基板发射离子束；

基板保持器，用于保持所述基板，并且改变所述基板相对于所述离子源的倾斜角；以及

遮光器，其具有使所述离子束通过的开口部，并且能够改变所述开口部相对于所述基板的位置，

其特征在于，所述离子束蚀刻设备还包括：

倾斜角控制单元，用于进行控制，以随着通过所述开口部的离子束入射到所述基板的位置的中心与所述离子源的距离的增大，所述倾斜角变小。

6.根据权利要求5所述的离子束蚀刻设备，其特征在于，还包括蚀刻控制单元，所述蚀刻控制单元用于进行控制，以随着所述位置的中心与所述离子源的距离的增大来改变蚀刻时间。