[发明专利]保护电路在审
申请号: | 201580056682.0 | 申请日: | 2015-10-13 |
公开(公告)号: | CN107078097A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 冈典正 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04;H02M1/00;H02M1/08;H03K17/08;H03K17/16 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 胡建新,朴勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 | ||
关联申请的相互参照
本申请以2014年10月21日申请的日本专利申请2014-214425号为基础,在此引用其记载内容。
技术领域
本发明涉及对电路进行保护的保护电路。
背景技术
以往,提出了一种驱动电路,对用于驱动负载的晶体管施加驱动信号(例如,参照专利文献1)。根据该专利文献1记载的技术,在成为晶体管IGBT的栅极电压通过该集电极栅极间的寄生电容而发生变动时,由于该栅极电压的变动,IGBT进行误动作,或者IGBT的动作变得不稳定。为了抑制IGBT的栅极电压的变动,对在IGBT的栅极/源极间连接的MOSFET进行导通驱动,从而使栅极电压稳定,防止电路误动作。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4650688号公报
发明内容
在采用了专利文献1记载的技术的情况下,若像静电放电(ESD:Electro-Static Discharge)那样的瞬间较大的噪声被施加到IGBT的集电极,则可能会在该驱动电路产生异常。这样的噪声通过使IGBT进行自导通而向地线等放电用节点进行放电是所希望的。但是,在对强制使IGBT截止的MOSFET(相当于断开电路)进行导通控制的情况下,IGBT被强制进行截止控制,不能引出ESD能量。
本发明的目的是提供一种保护电路,能够使电路动作稳定并且能够引出ESD能量。
根据本公开申请的一方式,保护电路具备周期性判定装置、断开电路以及控制装置。周期性判定装置直接或者间接地检测具备控制端子的第1晶体管上所重叠的噪声,对所检测的噪声的周期性进行判定。断开电路与第1晶体管的控制端子连接,能够使第1晶体管进行截止动作。控制装置在通过周期性判定装置判定为噪声存在周期性时,通过断开电路使第1晶体管进行截止动作,在通过周期性判定装置判定为噪声不存在周期性时使基于断开电路的晶体管的截止动作失效。
此时,在重叠了没有周期性的瞬间的噪声的情况下,由于由周期性判定装置判定为不存在噪声的周期性,因此控制装置不会通过断开电路使第1晶体管强制地进行截止动作。其结果,第1晶体管进行自导通,从而能够将ESD能量放电。
相反,在重叠了有周期性的噪声的情况下,由于通过周期性判定装置判定为存在噪声的周期性,因此控制装置通过断开电路使第1晶体管强制地进行截止动作。此时,第1晶体管进行截止动作,因此能够使电路动作稳定。
附图说明
关于本发明的上述目的以及其他目的、特征、优点通过参照附图并且下述的详细的记述变得更明确。
图1A是关于第1实施方式概要地表示保护电路的构成例的构成图。
图1B是概要地表示设置于保护电路的断开电路的构成例的构成图。
图2是概要地表示各节点的电压变化的时序图。
图3是关于第2实施方式概要地表示保护电路的构成例的构成图。
图4是概要地表示各节点的电压变化的时序图。
图5是关于第3实施方式概要地表示保护电路的构成例的构成图。
图6是概要地表示各节点的电压变化的时序图。
图7是关于第4实施方式概要地表示保护电路的构成例的构成图。
图8是关于第5实施方式概要地表示保护电路的构成例的构成图。
具体实施方式
以下,参照附图说明对保护对象电路进行保护以免受到噪声引起的误作动的影响以及浪涌电压的影响的保护电路的几个实施方式。在各实施方式中对相同或者类似部分标记相同或者类似符号,并且根据需要省略说明。
(第1实施方式)
图1A、图1B以及图2表示第1实施方式的说明图。该图1A所示的电路示出了应用于对例如成为车辆用负载(例如电感性负载)的负载1进行驱动的晶体管驱动电路2的构成例。
该晶体管驱动电路2根据被输入到输入端子的数字信号,使得电源电压(VB:例如12V)向负载1供电/非供电。晶体管驱动电路2是将主驱动部3以及N沟道型的MOS晶体管(以下,称为NMOS晶体管)4连接而构成的,该主驱动部3在其输入侧具备恒流驱动型的逆变器,该N沟道型的MOS晶体管4是成为在主驱动部3的输出端子连接有控制端子的驱动用的切换元件的晶体管。NMOS晶体管4相当于第1晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造