[发明专利]上电复位电路和高频通信装置在审
申请号: | 201580055942.2 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN107078735A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 安仲键太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 复位 电路 高频 通信 装置 | ||
技术领域
本公开涉及上电复位电路(power on reset circuit)和高频通信装置。
背景技术
各种电子装置被设置有上电复位电路,上电复位电路监控电源电压的上升并且当电源电压达到期望的电压或更大时使期望的电路复位。上电复位电路总体上采用一种系统,在该系统中比较器将通过对电源电压进行电阻分压获得的电压与基准电压进行比较。采用该系统的上电复位电路引起对电源电压低时可能发生故障的关注。
为了在低电源电压下操作期间预防这样的故障,已经设想出在充当比较器的基准输入的基准电压和充当比较输入的比较电压之间建立时间差(time difference)(例如,参见专利文献1和专利文献2)。
引用列表
专利文献
专利文献1:JP 2005-278056A
专利文献2:JP 2010-213046A
发明内容
技术问题
然而,即使在上述现有技术中尚不能充分确保其操作。此外,现有技术具有一种配置,在该配置中添加了用于确保操作的冗余电路。具体地,在专利文献1中公开的现有技术中,在低压下操作期间,存在过程的变化可能引起故障的风险。再者,在专利文献2中公开的现有技术中,除了基准电压源和比较器之外,冗余电路(启动电路)被用于在基准电压与比较电压之间建立时间差。
因而,本公开具有的目的是提供上电复位电路和包括上电复位电路的高频通信装置,甚至在低电源电压下进行操作期间,该上电复位电路可以稳定地操作而不用添加冗余电路。
问题的解决方案
为了实现上面的目的,根据本公开的上电复位电路包括:基准电压生成电路,生成基准电压并且还输出在比基准电压的电压上升慢的节点处的电压作为控制电压;比较电压生成电路,响应于从基准电压生成电路输出的控制电压,比较电压生成电路进行操作并且该比较电压生成电路根据电源电压输出比较电压;以及比较电路,将从比较电压生成电路输出的比较电压与从基准电压生成电路输出的基准电压进行比较并且在比较电压超过基准电压期间输出操作信号(operation signal)。
在如上所述配置的上电复位电路或高频通信装置中,用于引起比较电压生成电路进行操作,在基准电压生成电路中的特定节点处作为控制电压的电压的使用使得时间差被提供在基准电压与比较电压之间,而不用添加冗余电路。在电源电压上升期间,在基准电压稳定之后,比较电压增加,并且在电源电压下降期间,在基准电压变得不稳定之前,比较电压下降。因而,即使当电路在低电源电压下操作时使得能够有稳定的操作。
发明的有益效果
根据本公开,即使在低电源电压下使得能够有稳定的操作而不用添加冗余电路。因而可以充分确保该操作。
注意,本公开完全不局限于呈现本文中所描述的效果,并且本公开可以呈现出本说明书中描述的任何效果。此外,本说明书中描述的效果不是限制性的而仅是示例,并且可以有额外的效果。
附图说明
[图1]图1是根据本公开的实施例指示上电复位电路的配置示例的电路图。
[图2]图2是在构成基准电压生成电路的带隙基准电路的操作原理上的说明图;图2A指示二极管正向电压Vd和电流I之间的关系;图2B指示当不同的电流I1和I2流动时相对于温度二极管正向电压Vd和电压差ΔVd的改变;以及图2C指示用于生成不同的电流I1和I2的电路配置。
[图3]图3是示出启动电路的必要性的示图;图3A指示不包括启动电路的带隙基准电路的电路配置;以及图3B指示当电源电压VDD增加时电压Va和电压Vb之间的差Va-Vb的改变。
[图4]图4是示出带隙基准电路中运算放大器的输出电压VGP上升的示图。
[图5]图5是根据本公开的实施例例示上电复位电路的电路操作的示图;图5A指示在电源电压的上升期间的电压变化;以及图5B指示在电源电压的下降期间的电压变化。
[图6]图6是根据本公开的实施例示出上电复位电路中的偏置电压的选择的示例的示图。
[图7]图7是根据本公开的实施例指示包括上电复位电路的高频通信装置的示例的示意性配置图;图7A指示高频通信装置的系统配置的示例;以及图7B指示发送单元和接收单元的特定配置的示例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580055942.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。