[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及显示模块

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；

电连接于所述氧化物半导体膜的源电极；

电连接于所述氧化物半导体膜的漏电极；以及

所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜，

其中，所述第二绝缘膜包括包含卤素的区域，

并且，在所述区域中所述卤素以其浓度向所述第二绝缘膜的表面逐渐增高的方式分布。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述卤素为氟。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述卤素通过二次离子质谱分析法被检测出。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中通过热脱附谱分析法从所述第二绝缘膜中检测出大于或等于8.0×10¹⁴/cm²的氧分子。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体膜包含氧、In、Zn及M，

并且M是Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体膜包括结晶部，

并且所述结晶部具有c轴取向性并包括c轴平行于形成有所述氧化物半导体膜的表面的法线向量的部分。

7.一种显示装置，包括：

权利要求1所述的半导体装置；以及

显示元件。

8.一种显示模块，包括：

权利要求9所述的显示装置；以及

触摸传感器。

9.一种半导体装置，包括：

栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；

电连接于所述氧化物半导体膜的源电极；

电连接于所述氧化物半导体膜的漏电极；

所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜；以及

所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，

其中，所述第二绝缘膜包括包含卤素的区域，

并且，在所述区域中所述卤素以其浓度向所述第二绝缘膜的表面逐渐增高的方式分布。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中所述卤素为氟。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中所述卤素通过二次离子质谱分析法被检测出。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中通过热脱附谱分析法从所述第二绝缘膜中检测出大于或等于8.0×10¹⁴/cm²的氧分子。

13.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中所述第三绝缘膜包含氮及硅。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体膜包含氧、In、Zn及M，

并且M是Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf。

15.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体膜包括结晶部，

并且所述结晶部具有c轴取向性并包括c轴平行于形成有所述氧化物半导体膜的表面的法线向量的部分。

16.一种显示装置，包括：

权利要求9所述的半导体装置；以及

显示元件。

17.一种显示模块，包括：

权利要求16所述的显示装置；以及

触摸传感器。