[发明专利]工件处理系统和方法

说明书

本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。

本申请要求2014年10月16日申请的美国临时专利申请第62/064,740号以及2015年10月8日申请的美国专利申请第14/848,519号的优先权，该申请的公开内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开的实施例针对于用于处理工件的系统和方法。

背景技术

通常用等离子室产生等离子体。随后从等离子室经孔口提取出这个等离子体中的离子以形成离子束。这个等离子体可以用不同方式产生。在一个实施例中，天线置于等离子室外部，在介电窗旁边。随后，使用RF电源激发天线。接着由天线产生的电磁能穿过介电窗以激发置于等离子室内的原料气。

然后经提取孔口提取产生的等离子体。在一些实施例中，提取孔口可为矩形或椭圆形，其长度远远大于开口的宽度。提取的离子束可为带状离子束。但是，在这些实施例中，从等离子室提取的带状离子束可能在提取孔口的整个长度上不具有所需的均匀性。举例而言，离子密度在靠近带状离子束中心处可能较大，在远离中心的区域离子密度可能降低。

此外，在一些实施例中，需要以不均匀的方式处理工件，以使工件的特定区域的处理多于其他区域。因此，如果存在一种用于处理工件且能够实现所需处理的改良系统和方法将是有益的。更明确而言，宜更加精细地控制使用等离子室处理的工件的一或多个参数的均匀性。

发明内容

本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成经提取孔口提取的带状离子束。在提取孔口旁边平移工件，以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。一些实施例中，在工件的至少一些部分暴露于带状离子束之后，在改变参数的同时，旋转工件并将其再次暴露于带状离子束。此序列可重复多次。

根据第一实施例，公开了一种使用等离子室处理工件的方法。所述方法包括经等离子室的提取孔口提取带状离子束；相对于等离子室平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束；以及在平移工件时改变等离子室的至少一个参数。在一些实施例中，所述方法进一步包括在工件的至少一些部分暴露于带状离子束之后旋转工件；以及多次重复平移、改变和旋转操作以实现所需图案。

根据第二实施例，公开了一种蚀刻具有不均匀厚度的工件的方法。所述方法包括确定除去不均匀厚度的蚀刻图案；以及使用从等离子室提取的带状离子束将蚀刻图案施加到工件上。

根据第三实施例，公开了一种用于处理工件的系统。所述系统包括具有提取孔口的等离子室，可从所述提取孔口提取带状离子束；可移动表面，工件置于其上以在提取孔口旁边经过；以及控制器；其中控制器被配置以在工件经过提取孔口时改变等离子室的一或多个参数。

附图说明

为了更好地理解本公开，将参考附图，所述附图以引用的方式并入本文中并且其中：

图1显示了等离子室的第一实施例的侧视图。

图2A-图2C显示了处理之前的各个工件。

图3A显示了处理之前的一个工件。

图3B显示了处理之后的图3A的工件。

图4显示了工件区域的代表性图示。

图5A显示了等离子室的第二实施例的侧视图。