[发明专利]衬底容器在审
申请号: | 201580055196.7 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN106796905A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 巴里·格里格尔森;克里斯蒂安·安德森;拉斯·V·拉施克;迈克尔·扎布卡 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 容器 | ||
1.一种前开口晶片容器,其包括:
容器部分,其包括壳部分、界定敞开前部的门框,及
门,其经设定大小以被接纳于所述门框中,所述门包括用于将所述门闩锁到所述容器部分的闩锁机构,及
一对晶片架组件,其定位于所述容器部分中以用于界定晶片接纳区域,所述晶片架组件中的每一者具有界定V形凹部的多个V形座接部分,其中所述座接部分上暴露有包括聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT的薄膜条以用于啮合晶片边缘。
2.根据权利要求1所述的前开口晶片容器,其中所述容器部分经设定大小以接纳300mm晶片。
3.根据权利要求1所述的前开口晶片容器,其中所述晶片架组件中的每一者进一步具有多个垂直布置的架,所述架中的每一者界定架上座接位置。
4.根据权利要求3所述的前开口晶片容器,其进一步包括所述容器部分的底侧上的运动耦合件及所述容器部分的顶侧上的机器人法兰。
5.根据权利要求所述的前开口晶片容器,其中所述薄膜条被接合到所述晶片架组件的基底材料,所述基底材料包括聚碳酸酯。
6.根据权利要求5所述的前开口晶片容器,其中所述薄膜条通过包覆成型过程被接合到所述基底材料。
7.一种前开口晶片容器,其包括:
容器部分,其经配置以接纳300mm或450mm晶片,且具有:敞开的前部;及经配置用于接纳所述晶片的一组堆叠式斜坡,所述斜坡中的每一者通向架间晶片座接位置;及一对架集合,其提供多个架上座接位置;及门,其经设定大小以由所述容器部分接纳以关闭所述敞开的前部,所述门具有与所述容器部分中的所述组堆叠式斜坡协作的一组堆叠式斜坡;
其中所述容器部分的所述组堆叠式斜坡由相对于所述晶片的所述边缘提供比所述门的所述堆叠式斜坡更小的滑动摩擦的聚合物形成。
8.根据权利要求7所述的前开口晶片容器,其中所述门具有多个离散指状物部分,每一指状物部分界定所述门的所述组堆叠式斜坡。
9.根据权利要求7所述的前开口晶片容器,其中所述组堆叠式斜坡包括聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT。
10.根据权利要求9所述的前开口晶片容器,其中所述PBT呈接合到基底材料的薄膜形式。
11.根据权利要求10所述的前开口晶片容器,其中所述基底材料是聚碳酸酯,且所述PBT通过使所述聚碳酸酯包覆成型于所述PBT上而被接合到所述聚碳酸酯。
12.根据权利要求7所述的前开口晶片容器,其中所述离散指状物部分由聚碳酸酯组成。
13.根据权利要求7所述的前开口晶片容器,其中所述组堆叠式斜坡中的每一者通过使聚合物而非PBT包覆成型到PBT上而形成。
14.一种前开口晶片容器,其包括具有敞开的前部的容器部分及用于关上所述敞开的前部的门,所述容器部分包括界定架上座接位置的多个架及界定提高的架间座接位置的多个斜坡,所述架由第一聚合物材料形成,且所述多个斜坡由第二聚合物材料形成。
15.根据权利要求13所述的前开口晶片容器,其中所述多个架包括所述容器部分的一个侧上的第一组堆叠式架及与所述容器部分的所述一个侧对置的侧上的第二组堆叠式架,其中所述多个斜坡包括所述容器部分的所述一个侧上的第一组堆叠式斜坡及所述容器部分的所述相对侧上的第二组堆叠式斜坡。
16.根据权利要求15所述的前开口晶片容器,其中所述第一组堆叠式架及所述第一组堆叠式斜坡在晶片架组件中是整体的,且所述第二组堆叠式架及所述第二组堆叠式斜坡在另一晶片架组件中是整体的。
17.根据权利要求15所述的前开口晶片容器,其中所述第一组堆叠式架在晶片架组件中是整体的,且所述第二组堆叠式架在另一晶片架组件中是整体的,且所述第一组堆叠式斜坡及所述第二组堆叠式斜坡与所述晶片架组件或所述另一晶片架组件不是整体。
18.根据权利要求14到17中任一权利要求所述的前开口晶片组件,其中每一组堆叠式斜坡由具有包覆成型基底部分的聚对苯二甲酸丁二醇酯的薄膜条界定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造