[发明专利]通过气相沉积法在挠性基板上成膜的方法

权利要求书

1.一种在挠性基板上制作薄膜的成膜方法，其包括以下工序：

使所述挠性基板通过真空室内的其中导入有含金属或硅的原料气体的第一区域，从而使所述原料气体中所含的成分吸附到所述挠性基板上的工序；以及

使所述挠性基板通过所述真空室内的与所述第一区域相隔离并且包括含金属或硅的靶材的第二区域，从而进行溅射成膜的工序。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，在使所述挠性基板通过所述第一区域的工序和使所述挠性基板通过所述第二区域的工序之间，进一步包括使所述挠性基板通过其中导入有惰性气体的第三区域的工序。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述原料气体中包含的金属成分与所述靶材中包含的金属成分相同。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述原料气体中包含的金属成分与所述靶材中包含的金属成分不同。

5.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述靶材包含硅。

6.根据权利要求1、2和5中任一项所述的成膜方法，其中，

所述第二区域包括多个所述靶材，并且

所述靶材中的至少两个所含的材质的成分不同，或者该成分的比例不同。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜方法，其中，在所述第二区域中，通过反应溅射来进行成膜。

8.根据权要求1至7中任一项所述的成膜方法，其中，所述挠性基板通过所述第二区域一次时所形成的溅射膜的膜厚为0.2nm以上。