[发明专利]基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质有效
申请号: | 201580054389.0 | 申请日: | 2015-10-20 |
公开(公告)号: | CN106796875B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 中森光则;野中纯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 处理 方法 装置 以及 存储 有基板 程序 计算机 可读 介质 | ||
一种基板处理方法,进行以下工序:液体处理工序,利用处理液对基板进行液体处理;冲洗处理工序,利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理;以及疏水处理工序,利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理,接着,进行清洗处理工序,利用功能水对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理,之后,进行乙醇处理工序,使乙醇接触进行清洗处理后的所述基板,之后,进行干燥处理工序,使所述基板干燥。通过清洗处理工序来去除残留在进行疏水处理后的基板的表面的杂质。
技术领域
本发明涉及一种利用疏水化液使进行液体处理后的基板的表面疏水化后使该基板的表面干燥的基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质。
背景技术
以往,在制造半导体器件、平板显示器等的情况下,使用基板液体处理装置利用各种处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施液体处理,之后实施通过使基板高速旋转来去除残留在基板上的处理液的干燥处理。
在该基板液体处理装置中,随着形成于基板的表面的电路图案、蚀刻掩模图案等图案的细微化、高长宽比化而有可能产生以下现象:在进行干燥处理时,形成于基板的表面的图案由于残留在基板上的处理液的表面张力的作用而损坏。
因此,在以往的基板液体处理装置中,在进行干燥处理时向基板供给甲硅烷基化剂等疏水化液来使基板的表面疏水化。之后,将纯水作为清洗液向基板供给,使基板高速旋转来将清洗液从基板的表面去除。这样,在以往的基板液体处理装置中,通过使基板的表面疏水化来将图案与冲洗液之间的接触角度设为接近90度的状态,以减小清洗液使图案损坏的力,防止进行干燥处理时图案损坏(参照专利文献1。)。
用于使基板的表面疏水化的疏水化液能够在疏水化液所含有的疏水基的作用下使基板的表面疏水化(hydrophobic)。由于该疏水化液中含有许多杂质,因此有可能在疏水化后的基板的表面残留杂质。然而,即使向进行疏水处理后的基板供给纯水的清洗液,也无法去除残留在基板的表面的杂质。
专利文献1:日本特开2010-114439号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够将残留在进行疏水处理后的基板的表面的杂质去除的技术。
根据本发明的一个实施方式,提供一种基板液体处理方法,进行以下工序:液体处理工序,利用处理液对基板进行液体处理;冲洗处理工序,利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理;以及疏水处理工序,利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理,接着,进行清洗处理工序,利用功能水对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理,之后,进行乙醇处理工序,使乙醇接触进行清洗处理后的所述基板,之后,进行干燥处理工序,使所述基板干燥。
也可以是,在所述乙醇处理工序与干燥处理工序之间进行纯水处理工序,利用纯水对所述基板进行冲洗处理。
能够使用具有碱性的电解离子水、氨水、氢水、臭氧水中的任一种来作为所述功能水。
也可以是,将所述功能水和所述乙醇从同一喷嘴向所述基板供给。
在从所述清洗处理工序向所述乙醇处理工序转移时,能够以使所述功能水与所述乙醇的混合比率阶梯式地或连续地变化的方式向所述基板供给所述功能水和所述乙醇。
也可以是,在所述乙醇处理工序中包括以下工序:形成所述功能水的条状流;以及向比所述条状流更靠所述基板的中心侧的位置供给所述乙醇。
也可以是,在形成所述功能水的条状流的工序中包括以下工序:使所述功能水的供给位置从所述基板的中心侧向外周侧移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造