[发明专利]芳族杂环通过地球丰富的无过渡金属的催化剂的甲硅烷基化

权利要求书

1.一种用于使芳族有机基质甲硅烷基化的方法，所述方法包括使包含芳环部分的有机基质与包含(a)至少一种含氢硅烷和(b)氢氧化钾KOH的混合物在从40℃至165℃的范围内的温度接触，所述方法导致甲硅烷基化的有机基质的形成，

其中，芳族部分包括任选地被取代的苯、联苯、萘、蒽、呋喃、吡咯、噻吩、吡唑、咪唑、三唑、异噁唑、噁唑、噻唑、异噻唑、噁二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪酮、苯并呋喃、苯并吡咯、苯并噻吩、异苯并呋喃、异苯并吡咯、异苯并噻吩、吲嗪、吲唑、氮杂吲哚、苯并异噁唑、苯并噁唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、萘啶、2,3-二氢苯并呋喃、2,3-二氢苯并吡咯、2,3-二氢苯并噻吩、二苯并呋喃、呫吨、二苯并吡咯或二苯并噻吩部分；

其中所述甲硅烷基化的有机基质具有在对应于具有碳-氢键的所述芳环部分上的位置的位置中的碳-硅键，除非

(a)所述有机基质是包含具有烷基取代基的碳环芳基部分的烃，在这种情况下，所述甲硅烷基化的有机基质具有在所述烷基取代基的相对于所述碳环芳基部分的α碳上的碳-硅键；或

(b)所述芳环部分是具有连接到所述芳环部分的环碳原子上的烷基硫醚取代基的芳环部分，在这种情况下，所述甲硅烷基化的有机基质具有在相对于硫醚的硫的α碳上的碳-硅键；或

(c)所述芳环部分是具有连接到所述芳环部分的环碳原子上的烷基取代基的杂芳基部分，在这种情况下，所述甲硅烷基化的有机基质具有以下中的一种或两种：

(i)在所述烷基取代基的相对于所述杂芳基部分的α碳上的碳-硅键；或

(ii)在对应于具有碳-氢键的所述芳环部分的位置的位置中的碳-硅键。。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述混合物和所述有机基质包含小于50ppm的过渡金属物质。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一种含氢硅烷包括式(I)或式(II)的含氢硅烷：

(R)_4-mSi(H)_m (I)

R—[—SiH(R)—O—]_n—R (II)

其中m是1、2、或3；

n是10至100；并且

每个R独立地是任选地被取代的C_1-12烷基或C_1-12杂烷基、任选地被取代的C_5-20芳基或C_5-20杂芳基、任选地被取代的C_6-30烷芳基或C_6-30杂烷芳基、任选地被取代的C_6-30芳烷基或C_6-30杂芳烷基、任选地被取代的-O-C_1-12烷基或-O-C_1-12杂烷基、任选地被取代的-O-C_5-20芳基或-O-C_5-20杂芳基、任选地被取代的-O-C_6-30烷芳基或-O-C_6-30杂烷芳基、或任选地被取代的-O-C_6-30芳烷基或-O-C_6-30杂芳烷基，并且如果被取代，那么取代基可以是膦酸根、磷酰基、磷烷基、膦基、磺酸根、C₁-C₂₀烷基硫烷基、C₅-C₂₀芳基硫烷基、C₁-C₂₀烷基磺酰基、C₅-C₂₀芳基磺酰基、C₁-C₂₀烷基亚磺酰基、C₅-C₂₀芳基亚磺酰基、磺酰氨基、氨基、酰氨基、亚氨基、硝基、亚硝基、羟基、C₁-C₂₀烷氧基、C₅-C₂₀芳氧基、C₂-C₂₀烷氧基羰基、C₅-C₂₀芳氧基羰基、羧基、羧酸根、巯基、甲酰基、C₁-C₂₀硫酯、氰基、氰酸根、硫代氰酸根、异氰酸酯、硫代异氰酸酯、氨基甲酰基、环氧基、苯乙烯基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、硅烷基、硅氧氮烷基、硼酸根、硼基、或卤素、或含金属的基团或含准金属的基团，其中所述准金属是Sn或Ge，或其中所述取代基任选地向包括氧化铝、二氧化硅、或碳的不可溶的或微溶的支持介质提供链接。