[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

放射率设定部，被输入自与基板相接触的化学液或从所述基板与所述化学液相接触的交界面处放射的放射率；

辐射能量输入部，被输入自化学液或交界面处放射的辐射能量；以及

计算部，根据所述放射率与所述辐射能量而计算所述化学液或所述交界面的计算温度，

所述计算部使用根据下式3计算的绝对温度而计算所述计算温度，

[式3]

其中，

C1＝2πhc²＝3.74×10^-16W/m²，

E(λ,T)是输入至所述辐射能量输入部的辐射能量，λ是根据所述辐射能量输入部而预先设定的红外线波长，ε是所述化学液或所述交界面的放射率，T是绝对温度，h是普郎克常数(plank constant)，c是光速，k是波兹曼常数(Boltzmann constant)。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还包括腔室，所述腔室包括：工作台，以能够旋转的方式设置；托架，在所述工作台上分开支承所述基板；以及喷嘴，向所述基板供应所述化学液。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述喷嘴分离设置于所述基板的下侧。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

由所述辐射能量输入部、所述放射率设定部及所述计算部构成放射温度计(Pyrometer)，以便测量所述计算温度，所述放射温度计设置于安装部，所述安装部分离设置于所述基板的上侧。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还包括保护部，所述保护部包围保护所述辐射能量输入部。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述辐射能量输入部在以所述基板为基准的、与所述交界面相反一侧，与所述基板分离设置。

7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还包括控制部，所述控制部对为了蚀刻或清洁所述基板而预先设定的工序温度与所述计算温度进行比较。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还包括加热器，所述加热器分离设置于所述基板的上侧，并根据所述控制部的信号来加热所述基板或与所述基板相接触的所述化学液。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板划分为：

中央区，对应于所述工作台的旋转中央部分；

边缘区，对应于所述工作台的旋转边缘部分；以及

变化区，划分所述中央区与所述边缘区；

所述辐射能量输入部与所述加热器分别设置于所述中央区、所述边缘区和所述变化区，

所述控制部使所述加热器在所述中央区、所述边缘区和所述变化区分别独立工作。