[发明专利]低场磁共振成像方法和设备有效
| 申请号： | 201580054097.7 | 申请日： | 2015-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107110932B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·M·罗思伯格;马修·斯科特·罗森;格雷戈里·L·哈尔瓦特;威廉姆·J·米莱斯基;托德·雷亚里克;迈克尔·斯蒂芬·普尔 | 申请（专利权）人： | 海珀菲纳研究股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/381 | 分类号： | G01R33/381;G01R33/383;H01F17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;李春晖 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁共振 成像 方法 设备 | ||
1.一种低场磁共振成像系统，包括：
B0磁体，其包括至少一个层压板，所述至少一个层压板包括：
至少一个层压层，其包括至少一个非导电层和被图案化以形成至少一个B0线圈的至少一个导电层，所述B0线圈被配置成在操作时产生用于低场磁共振成像(MRI)的具有低场强度B0磁场，
其中，所述至少一个层压层上被图案化有一个或更多个梯度线圈，所述一个或更多个梯度线圈被配置成在操作时生成或有助于磁场以提供所发射的磁共振(MR)信号的空间编码。
2.根据权利要求1所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个层压层包括：多个层压层，其上形成有所述至少一个B0线圈，所述至少一个B0线圈被配置成生成所述B0磁场。
3.根据权利要求2所述的低场磁共振成像系统，其中，所述多个层压层中的每一个上形成有至少一个B0线圈。
4.根据权利要求3所述的低场磁共振成像系统，还包括：一个或更多个过孔，其电连接形成在所述多个层中的每一个上的所述至少一个B0线圈。
5.根据权利要求4所述的低场磁共振成像系统，其中，所述一个或更多个过孔被布置成减少对所述B0磁场的寄生效应。
6.根据权利要求3所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个B0线圈使用与至少一个其他B0线圈不同的几何形状被图案化。
7.根据权利要求3所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个B0线圈中的每一个包括多匝导体。
8.根据权利要求7所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个B0线圈在操作时沿与至少一个其他B0线圈相反的方向传导电流。
9.根据权利要求7所述的低场磁共振成像系统，其中，所述多个层压层中的至少一个上形成有多个B0线圈。
10.根据权利要求9所述的低场磁共振成像系统，其中，所述多个B0线圈中的至少一个B0线圈在操作时沿与在所述多个层压层中的相应层上被图案化的多个B0线圈中的至少一个其他B0线圈相反的方向传导电流。
11.根据权利要求7所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个B0线圈的多匝导体以圆形几何形状被图案化。
12.根据权利要求11所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个B0线圈的多匝导体以均匀密度匝数同心地被图案化。
13.根据权利要求11所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个B0线圈的多匝导体以不均匀密度匝数同心地被图案化。
14.根据权利要求7所述的低场磁共振成像系统，其中，所述至少一个B0线圈的多匝导体以螺旋形几何形状被图案化。
15.根据权利要求14所述的低场磁共振成像系统，其中，所述螺旋形配置包括具有均匀密度匝数的螺旋形配置。
16.根据权利要求14所述的低场磁共振成像系统，其中，所述螺旋形配置包括具有不均匀密度匝数的螺旋形配置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海珀菲纳研究股份有限公司，未经海珀菲纳研究股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580054097.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
