[发明专利]在低温下生长薄外延膜的方法

权利要求书

1.一种在处理腔室中处理基板的方法，包括以下步骤：

于半导体鳍片之上形成外延膜，所述半导体鳍片在所述基板上形成，其中所述外延膜包含具有第一刻面与第二刻面的顶表面；

在侧向维度上移除所述外延膜的部分；及

通过在550℃或小于550℃的温度与5Torr至20Torr的腔室压力处将所述顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在所述外延膜的所述顶表面上形成外延层，所述第一前驱物气体包含一或多个硅烷，所述第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一前驱物气体包括硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)、丙硅烷(Si₃H₈)、四硅烷(Si₄H₁₀)或四乙氧基硅烷(TEOS)。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二前驱物气体包括一氯硅烷(SiH₃Cl)、二氯硅烷(Si₂H₂Cl₂)、三氯硅烷(SiHCl₃)、六氯二硅烷(Si₂Cl₆)、八氯三硅烷(Si₃Cl₈)或四氯化硅(STC)。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

将净化气体引入所述第一前驱物气体的流动与所述第二前驱物气体的流动之间的所述处理腔室中。

5.一种处理基板的方法，包括以下步骤：

将半导体结构装载入处理腔室中，其中所述半导体结构包含基板、于所述基板上形成的多个半导体鳍片以及设置于所述基板上的所述半导体鳍片之间的介电材料；

于所述多个半导体鳍片之上形成外延膜，其中各外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面；

在侧向维度上移除所述外延膜的部分；以及

通过在小于550℃的温度与5Torr至20Torr的腔室压力处将所述顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而在所述外延膜的所述顶表面上形成硅层，所述第一前驱物气体包含一或多个硅烷，所述第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一前驱物气体包括硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)、丙硅烷(Si₃H₈)或四硅烷(Si₄H₁₀)。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一前驱物气体包括硅烷(SiH₄)。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第一前驱物气体包括乙硅烷(Si₂H₆)。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述第二前驱物气体包括一氯硅烷(SiH₃Cl)、二氯硅烷(Si₂H₂Cl₂)、三氯硅烷(SiHCl₃)、六氯二硅烷(Si₂Cl₆)、八氯三硅烷(Si₃Cl₈)或四氯化硅(STC)。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第二前驱物气体包括六氯二硅烷(Si₂Cl₆)。

11.如权利要求5所述的方法，其中所述基板与所述半导体鳍片包括单晶硅。