[发明专利]用于基片的射束处理的过程气体增强

权利要求书

1.一种处理基片的方法，包括：

在射束处理系统的处理室中提供基片；

通过使主气体通过至少一个喷嘴膨胀到所述射束处理系统中来形成气体束；

在所述至少一个喷嘴的出口下游的位置处将辅助气体供应到所述射束处理系统；以及

独立于所述供应，将所述气体束辐照到所述基片的暴露表面上，以在所述辅助气体的存在下处理所述基片的所述暴露表面，

其中，所述辅助气体包括含氢气体，所述含氢气体选自由原子氢(H)、亚稳态氢(H*)、离子氢(H⁺)、双原子氢(H₂)、卤代甲烷、或含氢卤代硅烷或者其中两种或更多种的任意组合组成的组。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助气体还包括含卤素气体，并且所述含卤素气体包括原子卤素、亚稳态卤素、离子卤素、双原子卤素、含卤素基团、卤化物、或四取代卤代硅烷或者其中两种或更多种的任意组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助气体还包括含卤素气体，并且所述含卤素气体包括F₂、HF、CHF₃、CF₄、NF₃、或SiF₄或者其中两种或更多种的任意组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体束包括粒子束。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述粒子束包括带电粒子束。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述粒子束包括气体团簇束。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述气体团簇束包括气体团簇离子束。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述气体团簇离子束包括：蚀刻气体团簇离子束，其被配置成执行蚀刻过程并且蚀刻所述基片上的暴露表面的至少一部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述辅助气体的供应期间，或者在所述辅助气体的供应之后，或者在这两者组合的情况下，使用所述气体束对所述基片进行辐照。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体束还包括一种或更多种稀有气体。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐照包括：

使用包括所述主气体的过程组合物来建立所述气体束；

电离所述气体束的至少一部分；

选择射束能量、射束能量分布、射束焦距和射束剂量，以实现对所述基片上的暴露表面的期望处理；

加速经电离的气体束，以实现所述射束能量；

使经电离的气体束聚焦，以实现所述射束焦距；以及

根据所述射束剂量将经加速的气体束的至少一部分辐照到所述基片的至少一部分上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述气体束包括范围从每原子0.25eV至每原子100eV的每原子能量比率。

13.一种蚀刻基片的方法，包括：

在射束处理系统的处理室中提供基片；

通过使主气体通过至少一个喷嘴膨胀到所述射束处理系统中来形成气体束；

在所述至少一个喷嘴的出口下游的位置处将辅助气体混合物供应到所述射束处理系统；以及

独立于所述供应，将所述气体束的至少一部分辐照到所述基片的暴露表面上，以在所述辅助气体混合物的存在下处理所述基片的至少一部分，

其中，所述辅助气体混合物包括第一气体和不同于所述第一气体的第二气体，其中，所述第一气体是含氢气体，所述第二气体是含卤素气体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述基片的所述一部分包括含Si材料、含Ge材料、或含金属材料或者其中两种或更多种的任意组合中之一。