[发明专利]电子器件、光电子器件、器件装置和用于制造电子器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：

通过光刻工艺由光致抗蚀剂层在载体的顶侧上形成牺牲结构，其中首先将所述光致抗蚀剂层施加在所述载体上并且然后将所述光致抗蚀剂层曝光；

在已经曝光所述光致抗蚀剂层之后，布置电子半导体芯片，使得所述电子半导体芯片的表面面向所述载体的顶侧；

在布置在所述载体的所述顶侧上的所述牺牲结构周围和在所述电子半导体芯片周围模制模制体，使得所述电子半导体芯片的表面至少部分地不被所述模制体覆盖，所述表面面向所述载体的顶侧；

使所述模制体从所述载体脱离；

去除所述牺牲结构，其中去除所述牺牲结构导致在所述模制体中形成切口。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述电子半导体芯片是光电子半导体芯片，并且所述表面是所述光电子半导体芯片的发射面。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中导电层被施加在所述切口的至少一个壁面上。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中在所述模制体上布置连接元件，所述连接元件将所述导电层与所述电子半导体芯片的接触焊盘导电连接。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中附加的方法步骤包括切断所述模制体和在该模制体中制造的所述切口。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述切口以邻接所述电子半导体芯片的所述表面的方式来形成。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中当在所述载体的所述顶侧上形成所述牺牲结构之后，将所述电子半导体芯片布置在所述牺牲结构的顶侧上，其中所述电子半导体芯片的所述表面面向所述牺牲结构。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述切口以邻接所述电子半导体芯片的侧面的方式形成。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中在曝光了所述光致抗蚀剂层之后在所述光致抗蚀剂层上布置第二光致抗蚀剂层，其中所述电子半导体芯片被压入到所述第二光致抗蚀剂层中，其中所述牺牲结构由所述光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层形成。

10.根据权利要求6所述的方法，

其中，在另一方法步骤中，将灌封化合物引入到所述切口中。

11.根据权利要求1或2所述的方法，

其中穿过所述切口在所述电子器件的第一侧面上形成栓，并且在所述电子器件的第二侧面上形成与所述栓匹配的凹槽。

12.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述电子器件与另外的电子器件一起在模制体组件中被制造，并且

其中，所述方法包括通过划分所述模制体组件将所述电子器件与所述另外的电子器件分离。

13.一种电子器件，包括：

电子半导体芯片和模制体，

其中所述模制体覆盖所述电子半导体芯片的至少一个侧面，

其中所述电子半导体芯片的表面至少部分地未被所述模制体覆盖，

其中所述模制体包括具有栓的第一侧面，

其中所述模制体包括具有与所述栓匹配的凹槽的第二侧面。

14.根据权利要求13所述的电子器件，

其中在所述凹槽上的接触结构和/或在所述栓上的接触结构以导电的方式形成。

15.根据权利要求14所述的电子器件，

其中在所述凹槽上的所述接触结构和/或在所述栓上的所述接触结构经由导电连接元件与所述电子半导体芯片的接触焊盘以传导方式连接。