[发明专利]包含Al-Te-Cu-Zr基合金的溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的平均粒径为1μm～50μm，最大粒径为100μm以下。

3.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的纯度为3N以上，氧含量为3000重量ppm以下。

4.根据权利要求2所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的纯度为3N以上，氧含量为3000重量ppm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有选自Si、C、Ti、Hf、V、Nb、Ta、镧系元素、Ge、Zn、Co、Ni、Fe、Mg、Ga、S、Se中的任意一种以上元素。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的相对密度为90％以上。

7.根据权利要求5所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的相对密度为90％以上。

8.一种权利要求1～7中任一项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，称量Al原料粉末、Te原料粉末、Cu原料粉末、Zr原料粉末以达到所期望的组成，然后将其混合，接着，对得到的混合粉末在300℃～380℃下进行烧结。

9.根据权利要求8所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为1μm～50μm、最大粒径为100μm以下的原料粉末。

10.根据权利要求8或9所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在氩气气氛下进行烧结。