[发明专利]利用增强源技术进行磷或砷离子植入

权利要求书

1.一种离子植入系统，其包括：

离子植入机，其包括离子源室；及

反应器，其经配置以接收气态磷或砷掺杂剂前驱物材料且由其形成气态多原子磷或气态多原子砷，其中所述反应器构成流通回路或与流通回路流体连通地耦合，所述流通回路经布置以将气态多原子磷或气态多原子砷递送到所述离子源室以在其中进行离子化从而形成用于植入于所述离子植入机中的衬底中的植入物质，其中所述反应器进一步经配置以接收掺杂剂前驱物材料，且分解前驱物材料以在所述反应器内以积累模式形成固体砷或固体磷，且在积累预定量的固体元素砷或磷之后接着使所述固体元素砷或磷蒸发，以产生呈多原子形式的气态砷或磷。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其进一步包括气态磷或砷掺杂剂前驱物材料供应器，其中所述系统经布置以将所述供应器施配到所述流通回路。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器含有用于对从中流动穿过的气态材料进行增强热传递及/或滞留时间调整的内部介质或组件。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器包括缠绕在所述离子源室上的管以实现对所述管及其中的气体内含物的加热。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器包括安置在所述离子源室的内部体积中的通道，所述通道向所述离子源室中的所述内部体积中进行排放。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器位于所述流通回路中的质量流量控制器的上游。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器位于所述流通回路中的质量流量控制器的下游。

8.根据权利要求1所述的离子植入系统，其进一步包括加热器，所述加热器经配置以将所述流通回路加热到的温度高于其中的气相四聚物物质的凝结温度。

9.根据权利要求1所述的离子植入系统，其进一步包括经布置以将热从所述离子源室传递到所述流通回路的热传递部件。

10.根据权利要求9所述的离子植入系统，其中所述热传递部件包括选自由以下各项组成的群组的金属：W、Ni、Cu、Mo、Au、Al及Ag。

11.根据权利要求1所述的离子植入系统，其进一步包括监测与控制组合件，所述监测与控制组合件经配置以监测束流或影响束流的工艺条件且响应地调制所述系统中的流率、温度及压力中的一或多个以提供预定束流。

12.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器经配置以产生呈气态二聚物或气态四聚物磷或者气态二聚物或气态四聚物砷的形式的气态多原子磷或气态多原子砷。

13.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器经配置以分解磷氢化物或砷氢化物掺杂剂前驱物材料，以形成对应固体元素磷或砷以及氢气，所述固体元素磷或砷经加热以产生气态多原子磷或气态多原子砷作为气相二聚物或四聚物材料。

14.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气态多原子磷或气态多原子砷包括As4或P4。

15.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述离子植入机为束线植入机。

16.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述离子植入机经配置以用于太阳电池板的制造。

17.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述反应器具有沉积的固体多原子磷或砷和积累的固体多原子磷或砷。