[发明专利]用于低温加压烧结的方法和装置

权利要求书

1.用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：

-将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，

-通过低温加压烧结将该电子部件连接到该电路载体上的接合材料而将该电子部件连接到该电路载体上，

其中

为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在包含具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛的可封闭的烧结室中进行，

其中在封闭该烧结室并且建立该低氧气氛之后，在进行该烧结之前经过一段时间以允许该室内的材料与该低氧气氛的平衡。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该低氧气氛具有0.05％至0.25％的相对氧含量。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该低氧气氛具有0.05％至0.15％的相对氧含量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该烧结室以气密方式封闭。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该低氧气氛包含氮(N)、二氧化碳(CO₂)、稀有气体或上述气体的混合物。

6.根据前述权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，在该低温加压烧结之后，用还原剂喷射或蒸发涂覆该电子组件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该还原剂是甲酸(CH₂O₂)。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该接合材料是银(Ag)。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，烧结温度位于230℃与300℃之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，烧结温度位于240℃与280℃之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，烧结温度是250℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，烧结压力是在20Mpa与40Mpa之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，烧结压力是在25Mpa与35Mpa之间。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，烧结压力是30MPa。

15.用于进行根据权利要求1至14中任一项所述的方法的装置，

该装置包括

-具有用于将该电子组件加热至高达300℃的加热装置(14)并且具有上模具和下模具(11a，11b)，这两个模具(11a，11b)中的至少一个是可加热的，的室(10)，该室用于在高达300℃的温度和高达30MPa的压力下进行该低温加压烧结，

该室(10)适用于以受控的方式将烧结的电子组件冷却至80℃，并且

该室(10)是可气密封闭的并具有用于产生该低氧气氛的器件。

16.用于进行根据权利要求15所述的方法的装置，

该装置包括

-第一室(20)，该第一室具有用于将该电子组件加热至高达100℃的加热装置(14)，

-连接到该第一室(20)、具有上模具和下模具(11a，11b)，这两个模具(11a，11b)中的至少一个是可加热的，的第二室(10)，该第二室用于在高达300℃的温度和高达30MPa的压力下进行该低温加压烧结，以及

-连接到该第二室(10)的第三室(30)，该第三室用于将所烧结的电子组件冷却至80℃，

至少该第二室(20)是可气密封闭的并且具有用于产生该低氧气氛的器件。