[发明专利]电子照相用构件、图像加热装置、图像形成装置、和电子照相用构件的制造方法

权利要求书

1.一种电子照相用构件，其特征在于，其包括：

基材；

设置在所述基材上的包含硅橡胶的弹性层；和

与所述弹性层的表面直接接触设置的包含氟树脂的脱模层，

其中

所述脱模层包含选自由下述组成的组的至少一种氟树脂：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物和四氟乙烯-六氟丙烯共聚物；和

在由日本工业标准JIS K 6854-1:1999规定的90°剥离粘合强度试验中所述弹性层引起内聚破坏，和其中

在所述电子照相用构件的沿厚度方向的截面中的所述弹性层与所述脱模层之间的边界区域中，在通过聚焦在氟原子的1s轨道中的电子状态的X射线光电子能谱得到的窄扫描光谱中，表示氟原子的结合状态的峰朝向-CF₂-CF₂-骨架的结合能的峰的低能量侧偏移。

2.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中所述脱模层包含四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物或四氟乙烯-六氟丙烯共聚物。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相用构件，其中所述脱模层的厚度为10μm以上且50μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的电子照相用构件，其中所述硅橡胶为加成固化型硅橡胶组合物的固化产物。

5.根据权利要求1或2所述的电子照相用构件，其中所述弹性层的根据日本工业标准JIS K 6251：2010的拉伸强度为0.7MPa以上且1.6MPa以下。

6.根据权利要求1或2所述的电子照相用构件，其中所述弹性层的厚度为50μm以上且1mm以下。

7.根据权利要求1所述的电子照相用构件，其中表示所述氟原子的结合状态的峰朝向-CF₂-CF₂-骨架的结合能的峰顶位置的低能量侧偏移至少2eV。

8.根据权利要求1或7所述的电子照相用构件，其中当-CF₂-CF₂-骨架的结合能的峰的峰顶位置标准化为688.7eV时，表示所述氟原子的结合状态的峰的峰顶位置位于686.3±0.5eV的范围内。

9.一种电子照相用构件，其特征在于，其包括：

基材；

设置在所述基材上的包含硅橡胶的弹性层；和

与所述弹性层的表面直接接触设置的包含氟树脂的脱模层，

其中

所述脱模层包含选自由四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物和四氟乙烯-六氟丙烯共聚物组成的组的氟树脂，和

在所述电子照相用构件的沿厚度方向的截面中的所述弹性层与所述脱模层之间的边界区域中，在通过聚焦在氟原子的1s轨道中的电子状态的X射线光电子能谱得到的窄扫描光谱中，表示氟原子的结合状态的峰朝向-CF₂-CF₂-骨架的结合能的峰的低能量侧偏移。

10.根据权利要求9所述的电子照相用构件，其中表示所述氟原子的结合状态的峰朝向-CF₂-CF₂-骨架的结合能的峰顶位置的低能量侧偏移至少2eV。

11.根据权利要求9或10所述的电子照相用构件，其中当-CF₂-CF₂-骨架的结合能的峰的峰顶位置标准化为688.7eV时，表示所述氟原子的结合状态的峰的峰顶位置位于686.3±0.5eV的范围内。

12.一种图像加热装置，其特征在于，其包括定影构件和加热构件，其中

所述定影构件为根据权利要求1至11任一项所述的电子照相用构件。