[发明专利]光刻设备和制造器件的方法

说明书

一种浸没式光刻设备具有控制器(500)，所述控制器(500)被配置用以控制衬底台(WT)沿着曝光路线移动，所述曝光路线按次序包括：进入运动(R2)，其中衬底从浸没空间(10)不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动(R3，R4)，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使图案化的束投影至所述衬底上，其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠，且其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上。

相关申请的交叉引用

本申请主张2014年8月7日提交的美国临时申请62/034,644和2015年4月13日提交的美国临时申请62/146,762的权益，并且它们通过援引而全文合并到本发明中。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备、一种使用光刻设备来制造器件的方法，和一种用于光刻设备的控制程序。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

在浸没式光刻设备中，液体被液体限制结构限制于浸没空间。浸没空间位于供图案成像通过的投影系统的最终光学元件与图案被转移到的衬底或衬底被保持到其上的衬底台之间。液体可被流体密封件限制于浸没空间。液体限制结构可产生或使用气流，例如用来帮助控制液体在浸没空间中的流量和/或位置。气流可形成密封以将液体限制于浸没空间。

发明内容

施加至衬底的图案中的缺陷是不期望的，这是因为它们减小良率，即，每个衬底可用器件的数目。因为需要许多图案形成步骤用来制造器件，所以甚至每次曝光非常低比率的缺陷也能够显著减小良率。存在着对于浸没式光刻设备而言所特有的两种类型的缺陷。

来自浸没空间的液体的液滴或液体膜(在下文中对液滴的提及也涵盖膜；膜是覆盖较大表面积的液滴)可在目标部分的曝光之后留在衬底上。如果液滴与抗蚀剂接触一显著的时段，则其能够使抗蚀剂劣化。如果液滴蒸发，则其能够留下碎屑。由留在衬底上的液滴引起的缺陷(无论是通过抗蚀剂劣化还是蒸发)在本发明中被称作踪迹缺陷。

如果气泡形成于浸没液体中，则发生对于浸没式光刻设备而言所特有的第二形式的缺陷。如果气泡移动至用来将图案形成装置的图像投影至衬底上的投影束的路径内，则所投影的图像将失真。由气泡所造成的缺陷在本发明中被称作曝光缺陷。

例如，期望提供一种用以减小对于浸没式光刻设备而言所特有的缺陷的效应或作用的系统。