[发明专利]半导体密封用树脂组合物、半导体装置和结构体

说明书

本发明的半导体密封用树脂组合物含有(A)环氧树脂、(B)固化剂和(C)无机填充材料，上述(C)无机填充材料包含方英石，对该半导体密封用树脂组合物以175℃、3分钟进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物在玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数α₂为70ppm/K以上200ppm/K以下，上述固化物的玻璃化转变温度为100℃以上260℃以下。

技术领域

本发明涉及一种半导体密封用树脂组合物、半导体装置和结构体。

背景技术

半导体装置例如通过使用密封用树脂组合物将搭载在基板上的半导体元件密封成型而形成。作为关于密封这种半导体装置的树脂组合物的技术，已知使密封用树脂组合物中包含方英石的技术(参考专利文献1、2)。

即，专利文献1中，为了赋予作为固化后的密封树脂的导热性和低吸水性的目的，并且，专利文献2中，为了赋予作为固化后的密封树脂的耐痕迹性或耐湿特性的目的，在树脂组合物中配合方英石。

专利文献1、2中，作为将方英石应用于密封用树脂组合物的理由，可以如下考虑。即，方英石因其特异的结晶结构，尤其在加热时发挥显著的膨胀特性。因此，可以认为在热固化时，该方英石显著地膨胀，使固化物具有刚性，可以实现上述特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-302506号公报

专利文献2：日本特开2013-112710号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，本发明的发明人深入研究，其结果得知以下情况。

即，近年来，半导体装置的薄型化的要求逐渐提高，但在对这种薄型的半导体装置应用如上述专利文献1、2所记载的包含方英石的密封用树脂组合物时，有密封树脂过度带有刚性而加热时的线膨胀系数变低的倾向。结果得知，产生与基板的热膨胀系数的差，作为半导体装置整体有可能产生翘曲。

因此，本发明的课题在于提供一种半导体密封用树脂组合物，其即便包含方英石，也可以抑制作为所获得的半导体装置的翘曲。

用于解决课题的方法

根据本发明，提供一种半导体密封用树脂组合物，其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂和(C)无机填充材料，其中，上述(C)无机填充材料包含方英石，以175℃、3分钟对上述半导体密封用树脂组合物进行热处理后，以175℃、4小时进行热处理而获得的固化物在玻璃化转变温度以上时的线膨胀系数α₂为70ppm/K以上200ppm/K以下，上述固化物的玻璃化转变温度为100℃以上260℃以下。

并且，根据本发明，提供一种半导体装置，其具备：基材；半导体元件，其搭载于上述基材的一表面上；和密封树脂，其由上述半导体密封用树脂组合物的固化物构成且将上述半导体元件和上述基材中的上述一表面密封。

并且，根据本发明，提供一种结构体，其具备：基材；多个半导体元件，其搭载在上述基材的一表面上；和密封树脂，其由上述半导体密封用树脂组合物的固化物构成且将上述半导体元件和上述基材中的上述一表面密封。

发明效果

根据本发明的半导体密封用树脂组合物，能够抑制作为所获得的半导体装置的翘曲。

附图说明

上述目的及其他目的、特征和优点通过以下所述的优选的实施方式、及其所附带的以下附图而变得进一步明确。

图1为表示半导体装置的一例的剖视图。

图2为表示结构体的一例的剖视图。

具体实施方式