[发明专利]作为光可交联介电质的醚基聚合物

说明书

本发明涉及一种聚合物，其包含至少一个式(I)单元，其中n为0或1，m和p彼此独立地为0、1、2、3、4、5或6，条件为n、m和p的总和为至少2，且n和p不同时为0，Ar¹和Ar²彼此独立地为C_6‑14亚芳基或C_6‑14芳基，其可经1‑4个取代基取代，该取代基独立地选自由C_1‑30烷基、C_2‑30链烯基、C_2‑30炔基、C_5‑8环烷基、C_6‑14芳基和5‑14员杂芳基组成的组，和X¹、X²和X³彼此独立地且在每次出现时独立地为O或S，包含这些聚合物的组合物和包含由该组合物形成的层的电子器件。优选地，该电子器件为有机场效电晶体且该层为介电层。

本发明涉及聚合物，包含这些聚合物的组合物和包含由该组合物形成的层的电子器件。优选地，该电子器件为有机场效晶体管且该层为介电层。

介电材料可应用于许多电子器件如场效晶体管(FET)中。场效晶体管(FET)可用于需要电子功能的应用中，例如显示器、大面积传感器和射频识别(RFID)标签。

场效晶体管含有通过薄介电层与金属栅电极分离的半导体层。当在栅极与半导体之间施加电压时，在半导体中在紧邻半导体/介电质界面处产生移动电子电荷薄层。该电荷层使位于栅电极上的(带相反极性的)电荷平衡。通过调节栅极电压，可在宽范围内调整半导体通道中的电荷密度，且因此电荷载流子通道的导电性大大改变。在两个金属触点(源极触点和漏极触点)连接至半导体的情况下，可因此简单通过调节栅极电压而使流经晶体管的电流在宽范围内得到有效控制。

希望形成介电层的介电材料为可与液体加工技术(例如旋涂)相容的有机材料，因为液体加工技术允许制造包含场效晶体管的低成本电子器件。此外，液体加工技术还可与塑料基板相容，且因此允许制造包含场效晶体管的轻质且机械可挠性电子器件。

介电材料应理想地显示出大栅极耦合(即每单位面积大栅极介电电容)和小漏电流。大栅极耦合(即每单位面积大栅极介电电容)意指晶体管可在低电压下运行，这在场效晶体管经设计用于通过小电池组或通过近场射频耦合供电的携带型或手持型器件时至关重要。此外，大介电电容确保通道中的载流子密度由栅极-源极电压而非源极-漏极电压控制，其对于具有短通道长度的场效晶体管尤为重要。

聚苯乙烯为用于有机场效晶体管中的常用介电材料。

然而，仍需要适用于制备场效晶体管中的介电层的介电材料，尤其为适用于制备可在较低电压下运行的场效晶体管中的介电层的介电材料。

因此，本发明的目的为提供适用于制备场效晶体管中的介电层，且优选适用于制备可在低电压下运行的场效晶体管中的介电层的介电材料。

该目的通过权利要求1的聚合物、权利要求13的组合物、权利要求15的方法和权利要求16的电子器件实现。

本发明的介电材料为包含至少一个下式单元的聚合物：

其中n为0或1，

m和p彼此独立地为0、1、2、3、4、5或6，

条件为n、m和p的总和为至少2，且n和p不同时为0，

Ar¹和Ar²彼此独立地为C_6-14亚芳基或C_6-14芳基，其可经1-4个取代基取代，该取代基独立地选自由C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14员杂芳基组成的组，

X¹、X²和X³彼此独立地且在每次出现时独立地为O或S，