[发明专利]二极管激光器有效
| 申请号: | 201580050599.2 | 申请日: | 2015-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN107005025B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
| 发明(设计)人: | 哈罗·弗里切;拉尔夫·科克;巴斯蒂安·克鲁斯克;法比奥·法拉里欧 | 申请(专利权)人: | HIGHYAG激光技术公司 |
| 主分类号: | H01S5/14 | 分类号: | H01S5/14;H01S5/40 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 林传贵 |
| 地址: | 德国克林麦克诺*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二极管 激光器 | ||
1.一种二极管激光器,包括:
被放置在内部激光腔(10)内的有源媒介,所述内部激光腔(10)包括被适配来用于输出耦合的激光辐射的出射面(12);
被放置在所述内部激光腔(10)外并且被适配来用于所述激光辐射的波长稳定化的外部频率选择元件(14);以及
被放置在所述内部激光腔(10)外并且被适配来用于将所述输出耦合的激光辐射(B0)分成沿第一光束路径(P1)延伸的第一光束(B1)和沿第二光束路径(P2)延伸的第二光束(B2)的分束器(16),所述第一光束(B1)具有比所述第二光束(B2)高的辐射强度并且所述第一光束路径(P1)不同于所述第二光束路径(P2);
其特征在于:
所述二极管激光器还包括:
被适配来用于控制入射到所述外部频率选择元件(14)的辐射强度的强度控制装置,以使撞击所述外部频率选择元件(14)的强度与所述耦合的激光辐射的强度无关,其中所述二极管激光器的总强度减弱或增强时,入射至所述外部频率选择元件(14)的强度通过所述强度控制装置分别增强或减弱;
所述外部频率选择元件(14)和所述强度控制装置被布置在所述第二光束路径(P2)中。
2.根据权利要求1所述的二极管激光器,
其中所述分束器(16)是偏振分束器。
3.根据权利要求1所述的二极管激光器,
其中所述分束器(16)是非偏振分束器。
4.根据前述权利要求中任一所述的二极管激光器,
其中所述外部频率选择元件(14)对于小于2nm的波长带具有大于90%的反射率。
5.根据权利要求1、2和4中任一所述的二极管激光器,
其中偏振修改装置(18)被布置在所述分束器(16)和所述外部频率选择元件(14)之间的所述第二光束路径(P2)中,其中偏振器(20)位于所述偏振修改装置(18)和所述外部频率选择元件(14)之间的所述第二光束路径(P2)中。
6.根据权利要求1、2和4中任一所述的二极管激光器,
其中偏振修改装置(18)被布置在所述分束器(16)和所述激光器(10)的所述出射面(12)之间的所述第一光束路径(P1)中,其中偏振器(20)位于所述偏振修改装置(16)和所述外部频率选择元件(14)之间的所述第二光束路径(P2)中。
7.根据前述权利要求中任一所述的二极管激光器,
其中所述外部频率选择元件(14)被形成为体布拉格光栅。
8.根据权利要求1至7中任一所述的二极管激光器,
其中所述外部频率选择元件(14)包括具有强度依赖性反射系数的反射镜,以改编来自所述外部频率选择元件的反馈信号的强度以独立于所述二极管激光器的总强度。
9.根据前述权利要求中任一所述的二极管激光器,
其中所述第一光束(B1)的辐射强度大于所述输出耦合的激光辐射(B0)的辐射强度的80%并且所述第二光束(B2)的辐射强度小于所述输出耦合的激光辐射(B0)的辐射强度的20%。
10.根据前述权利要求中任一所述的二极管激光器,
其中所述分束器(16)包括具有不同部分反射率的多个部分,所述分束器(16)的多个部分被并排地布置。
11.根据权利要求10所述的二极管激光器,
还包括用于相对于所述输出耦合的激光辐射(B0)的传播方向横向地移动所述分束器(16)的装置以及用于根据所述输出耦合的激光辐射(B0)的强度控制所述分束器(16)的横向移动的装置。
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