[发明专利]具有聚合物阴极的钽电容器

权利要求书

1.一种形成电容器(10)的方法，包括：

由烧结的钽粉末形成钽阳极(11)，该钽粉末的粉末荷电量为不超过40,000μC/g；

通过脱碳或脱氧中的至少一者处理所述钽阳极；

在至少40V至不超过100V的形成电压下，通过阳极氧化在所述阳极上形成电介质(12)；

在所述电介质上形成导电聚合物阴极(13)；并且

其中所述电容器的击穿电压高于所述形成电压。

2.根据权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述钽粉末的粉末荷电量为至少5,000μC/g。

3.根据权利要求2所述的形成电容器的方法，其中所述钽粉末的粉末荷电量为至少10,000μC/g至不超过25,000μC/g。

4.根据权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述导电聚合物阴极包含聚噻吩。

5.根据权利要求4所述的形成电容器的方法，其中所述导电聚合物为聚-3,4-聚乙烯二氧噻吩。

6.根据权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述形成所述导电聚合物阴极是通过在聚合物浆料中浸渍而完成的。

7.根据权利要求6所述的形成电容器的方法，其中所述聚合物浆料包含聚-3,4-聚乙烯二氧噻吩。

8.根据权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述电容器在超过所述击穿电压的电压下进行处理后的电阻为至少1,000Ω。

9.根据权利要求8所述的形成电容器的方法，其中所述电容器在超过所述击穿电压的电压下进行处理后的电阻为至少100,000Ω。

10.根据权利要求1所述的形成电容器的方法，还包括用潮湿气氛处理所述电容器。

11.根据权利要求10所述的形成电容器的方法，其中所述潮湿气氛为至少0℃至不超过100℃的温度和至少50％的相对湿度至不超过90％的相对湿度。

12.根据权利要求10所述的形成电容器的方法，包括用所述潮湿气氛处理以达到最大吸收水量。

13.根据权利要求12所述的形成电容器的方法，包括用所述潮湿气氛处理以达到所述最大吸收水量的20％-90％的含水量。

14.根据权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述电容器的最大额定电压为所述形成电压的至少60％至不超过90％。

15.根据权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述形成所述钽阳极还包括烧结。

16.一种电容器(10)，包含

经脱碳或脱氧的钽阳极(11)，其由粉末荷电量为不超过40,000μC/g的粉末形成；

在所述阳极上的电介质(12)，该电介质通过在至少40V至不超过100V的形成电压下，通过阳极氧化而形成；和

在所述电介质上的导电聚合物阴极(13)；

其中所述电容器的击穿电压为至少1V至不超过100V，且当暴露于高于所述击穿电压的电压时具有开路失效模式，其中所述开路失效模式是指，在发生击穿失效之后，所述电容器具有至少1,000Ω的电阻。

17.根据权利要求16所述的电容器，其中所述击穿电压为至少60V至不超过80V。

18.根据权利要求16所述的电容器，其中所述电介质为氧化钽。

19.根据权利要求16所述的电容器，其中所述导电聚合物阴极包含聚噻吩。