[发明专利]具有反射层的底座上的发光设备

说明书

本发明的实施例包括附接到底座顶表面的半导体发光二极管（LED）。多层反射体设置在与LED相邻的底座的顶表面上。多层反射体包括低折射率材料和高折射率材料的交替层的层对。与多层反射体直接接触的顶表面的部分是非反射性的。

技术领域

本发明涉及一种设置在底座上的发光设备，该底座具有设置在该发光设备旁边的反射层。

背景技术

半导体发光设备（包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器）属于当前可用的最高效的光源。在能够在可见光谱各处操作的高亮度发光设备的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，其也被称作III族氮化物材料。典型地，III族氮化物发光设备通过下述制作：通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术，在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其它合适的衬底上外延生长不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层。叠层通常包括：在衬底上形成的掺杂以例如Si的一个或多个n型层、在该一个或多个n型层上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区上形成的掺杂以例如Mg的一个或多个p型层。电气接触在n型和p型区上形成。

图1图示在US 8,680,556中更详细地描述的经封装磷光体转换的发光设备。图2更详细地图示图1的复合反射层。图1的设备包括设置在封装件300上并由包括磷光体的密封剂304覆盖的LED 302。从LED 302发射出的光、从密封剂304中的磷光体发射的光以及从密封剂304的出射表面反射的光可以朝向衬底300发射。此光的至少一部分从复合层362反射并被重定向，使得其可以离开封装件。

图2示出反射复合层362的一种可能配置。在此配置中，一组介电层308在一组金属层上形成。与金属层310相邻的介电层308的部分可以是粘附层312。与衬底300相邻的金属层310的部分也可以是粘附层312。在US 8,680,556中描述的实施例中，最靠近衬底300的复合层中的材料是银。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种设置在底座上的LED，该底座具有设置在该底座上的LED旁边的反射层。

本发明的实施例包括附接到底座顶表面的半导体发光二极管（LED）。多层反射体设置在与LED相邻的底座的顶表面上。多层反射体包括低折射率材料和高折射率材料的交替层的层对。与多层反射体直接接触的顶表面的部分是非反射性的。

本发明的实施例包括附接到底座顶表面的半导体发光二极管（LED）。一层设置在与LED相邻的底座顶表面上。透镜设置在LED和该层上。该层具有比该透镜的折射率低的折射率。

附图说明

图1是一种具有反射性封装表面的现有技术的经封装LED的横截面视图。

图2是图1的设备中的反射表面的一个示例的横截面视图。

图3是LED的一个示例的横截面视图。

图4是设置在底座上的LED的横截面视图，该底座具有与该底座直接接触的多层反射体。

图5是设置在底座上的LED的横截面视图，该底座具有与该底座上的导电垫直接接触的多层反射体。

图6是设置在底座上的LED的横截面视图，该底座具有多层反射体和低折射率层。

图7是设置在底座上的LED的横截面视图，该底座具有低折射率层。

具体实施方式

在本发明的实施例中，诸如半导体发光二极管的照明设备设置在具有至少一个反射层的封装件上。图3图示III族氮化物LED的一个示例。可以使用任何合适的半导体发光设备，并且本发明的实施例不限于图3中图示的LED。