[发明专利]用于GaN电路负载的GaN电路驱动器

权利要求书

1.一种电子电路，包括：

包括GaN的衬底；

功率开关，形成在所述衬底上并包括第一控制栅极和第一源极；以及

驱动电路，形成在所述衬底上并包括：

多个晶体管，其中所述驱动电路的所有晶体管是相同的导电类型，

耦接到所述第一控制栅极的输出，以及

电源，具有电源电压并耦接到所述驱动电路，

其中所述驱动电路的输出能够被驱动到所述电源电压。

2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述驱动电路耦接到均参考所述第一源极的电位的至少一个电源和一个输入。

3.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述驱动电路耦接到一个PWM输入。

4.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述驱动电路包括：

至少一个增强型晶体管；

至少一个电流传导元件；并且

不包括任何耗尽型晶体管。

5.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述驱动电路包括反相器，包括：

第一增强型晶体管，具有连接到第一输入信号的第二栅极、连接到所述第一源极的第二源极，以及第二漏极；以及

第二增强型晶体管，具有连接到所述电源的第三漏极、连接到所述第二漏极的第三源极和连接到被配置为生成高于所述电源的电压的控制电路的第三栅极。

6.根据权利要求5所述的电子电路，包括与所述第三源极同步地上下移动电压并向所述第三栅极供应电荷的电容元件。

7.根据权利要求6所述的电子电路，还包括整流元件，所述整流元件被配置为当所述电容元件的端子的电压上升到所述电源上的电压以上时，向所述电容元件供电，并且防止所述电容元件的放电。

8.根据权利要求5所述的电子电路，其中所述第二增强型晶体管能够在小于100纳秒内接通。

9.根据权利要求6所述的电子电路，其中第三增强型晶体管具有连接到所述第一输入信号的第四栅极、连接到所述第三栅极的第四漏极和连接到所述第一源极的第四源极。

10.根据权利要求9所述的电子电路，其中，电流限制元件设置在从所述电源到所述第一源极的电流传导路径中，并且其中所述电流传导路径包括整流元件、所述电流限制元件和所述第三增强型晶体管的串联连接。

11.根据权利要求10所述的电子电路，其中所述电流限制元件包括第五增强型晶体管，所述第五增强型晶体管具有第六栅极、连接到所述第三栅极的第六源极和连接到所述电容元件的端子的第六漏极，其中所述电容元件被配置为向所述第三栅极供电。

12.根据权利要求11所述的电子电路，其中所述第六栅极连接到能够输送高于所述电源电压的电压的电路。

13.根据权利要求12所述的电子电路，其中所述第六栅极被配置为与所述第一增强型晶体管的接通同步地关断所述第五增强型晶体管，并且其中所述第六栅极还被配置为当所述电容元件的端子的电压上升到所述电源上的电压以上时，接通所述第五增强型晶体管。

14.根据权利要求9所述的电子电路，其中所述第四栅极连接到能够提供大于所述电源电压的电压的电路。

15.根据权利要求14所述的电子电路，其中所述第四栅极被配置为接通所述第三增强型晶体管，以与所述第一增强型晶体管的接通同步地从所述电源向所述电容元件供电，并且其中所述第四栅极还被配置为当所述电容元件的端子的电压上升到所述电源上的电压以上时，关断所述第三增强型晶体管。

16.根据权利要求5所述的电子电路，其中，电阻器设置在所述第一输入信号和所述第一控制栅极之间。