[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

权利要求书

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：

准备R－T－B系烧结磁体的工序；和

在所述R－T－B系烧结磁体的表面存在由雾化法制作的粒度为20～100μm以下的RLM合金的粉末和粒度为20μm以下并小于该RLM合金粉末的RH化合物的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序，其中，RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素，RH为Dy和/或Tb，RH化合物为选自RH氧化物、RH氟化物、RH氧氟化物中的一种以上，

所述状态通过在所述R－T－B系烧结磁体的上面的表面涂布包含RLM合金粉末和RH化合物粉末的混合粉末以及粘合剂和/或溶剂的浆料并静置，由此利用RLM合金粉末与RH化合物粉末的沉降速度的差，使RLM合金粉末优先沉降，在R－T－B系烧结磁体的所述表面形成1颗粒层以上的由沉降形成的RLM合金粉末颗粒层而得到，

所述RLM合金包含50原子％以上的RL，且所述RLM合金的熔点在所述热处理的温度以下，

所述热处理在所述RLM合金的粉末和所述RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于所述R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。

2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

在所述R－T－B系烧结磁体的表面，所述RH化合物的粉末所含的RH的质量在所述表面的每1mm²中为0.03～0.35mg。

3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

包括在所述R－T－B系烧结磁体的表面涂布包含RLM合金粉末和RH化合物粉末的混合粉末以及粘合剂和/或溶剂的浆料的工序。

4.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述RH化合物为RH氟化物和/或RH氧氟化物。