[发明专利]固化性有机硅树脂组合物及其固化物

说明书

技术领域

本发明涉及固化性有机硅树脂组合物及其固化物、以及通过使用上述固化性有机硅树脂组合物对光半导体元件进行密封而得到的光半导体装置。本申请基于2014年9月17日在日本提出申请的日本特愿2014-188760号要求优先权，并将其内容援引于此。

背景技术

作为在半导体装置中用于包覆而保护半导体元件的密封材料，已被使用的是各种树脂材料。特别是，对于光半导体装置中的密封材料，要求同时以高水平满足对SO_X、H₂S等硫化合物的阻隔性(以下，也称为“硫阻隔性”)、和耐热冲击性(在施加了冷热循环等热冲击的情况下也不易发生密封材料的裂纹或剥离、光半导体装置的不照明(不亮)等不良情况的特性)。

然而，现状是难以同时满足上述的硫阻隔性和耐热冲击性这两种特性。这是由于，通常，为了使硫阻隔性提高会采取提高密封材料的硬度的方法，但在这种情况下，会由于密封材料的柔软性降低而破坏耐热冲击性，另一方面，如果使耐热冲击性提高，则会表现出硫阻隔性降低的倾向，这些特性之间呈折衷关系。

目前，作为光半导体装置中的密封材料，已被广泛使用的是耐热冲击性和硫阻隔性的平衡较好的苯基硅酮(苯基硅酮类密封材料)(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4409160号

发明内容

发明要解决的问题

然而，苯基硅酮类密封材料与以往被使用的甲基硅酮类密封材料相比，虽然对硫化合物的阻隔性较高，但其特性仍不充分。实际上，即使在使用苯基硅酮类密封材料的情况下，在光半导体装置中，也产生了因SO_X、H₂S等硫化合物透过密封材料而导致电流的硫化(腐蚀)经时地进行、通电特性变差的问题。

此外，以往的密封材料在相对于光半导体装置中的基板、电极等被粘物的密合性(密合强度)方面也不算充分，例如，已发生了在苛刻的环境中使用时、或在长期使用中发生从被粘物的剥离、光半导体装置品质下降、功能消失的问题。

然而，在使用了以往的密封材料的光半导体装置中，还出现了在各光半导体装置(例如，制造初期的光半导体装置和制造后期的光半导体装置)之间产生色度的偏差(称为“色度不均”)、难以稳定地制造出光效率(光取出效率)高的光半导体装置的问题。这样的问题被认为是基于下述原因而产生的，即，如果在将用于形成密封材料的密封剂(固化性组合物)填充至光半导体装置的封装件时或在固化时进行加热，则会引起该密封剂的粘度大幅下降，因此导致密封剂中的光波长转换材料(荧光体)发生沉降。

因此，本发明的目的在于提供用于形成硫阻隔性(对SO_X、H₂S等硫化合物的阻隔性)、耐热冲击性以及相对于被粘物的密合性优异，可抑制光半导体装置的色度不均、从而能够稳定地制造出光效率高的光半导体装置的材料(密封材料、透镜等)的固化性有机硅树脂组合物。

另外，本发明的其它目的在于提供硫阻隔性、耐热冲击性以及相对于被粘物的密合性优异，可抑制光半导体装置的色度不均、从而能够稳定地制造出光效率高的光半导体装置的材料(固化物)。

进一步，本发明的其它目的在于提供通过利用上述固化物对光半导体元件进行密封而得到的耐久性(例如，相对于热冲击及苛刻环境的耐性；相对于硫化合物的耐性等)及品质(例如，出光效率高的品质)优异的光半导体装置。

解决问题的方法

本发明人等发现，利用包含分子内具有2个以上烯基的特定的聚有机硅氧烷(具有硅亚烷键的聚有机硅氧烷)、分子内具有1个以上氢化甲硅烷基且不具有脂肪族不饱和基团的聚有机硅氧烷、特定的氢化硅烷化催化剂、初级粒子的平均粒径为特定范围的二氧化硅填料、以及分子内具有1个以上烯基的支链状的聚有机硅氧烷作为必要成分，且上述二氧化硅填料的含量被控制于特定范围的组合物(固化性有机硅树脂组合物)，可以形成硫阻隔性、耐热冲击性以及相对于被粘物的密合性优异，可抑制光半导体装置的色度不均、从而能够稳定地制造出光效率高的光半导体装置的材料(固化物)，进而完成了本发明。

即，本发明提供一种固化性有机硅树脂组合物，其包含下述的(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分及(E)成分，

且(D)成分的含量相对于(A)成分及(B)成分的总量100重量份，为0.1～20重量份。