[发明专利]气相色谱(GC)柱加热器

权利要求书

1.一种气相色谱加热设备，包括：

第一柱加热设备，所述第一柱加热设备包括第一基板、由硅组成的第二基板和布置在所述第一基板和所述第二基板之间的第一加热元件；

第二柱加热设备，所述第二柱加热设备包括第三基板、由硅组成的第四基板和布置在所述第三基板和所述第四基板之间的第二加热元件。

2.根据权利要求1的设备，其中，所述第一和第二加热元件每个都相对它们各自的基板电气绝缘。

3.根据权利要求1的设备，其中，所述第一和第二加热元件每个都包括箔片加热器或者金属丝加热器。

4.根据权利要求1的设备，其中，第一和第三基板每个都包括单晶硅或者多晶硅。

5.根据权利要求1的设备，其中，所述硅是单晶硅或者多晶硅。

6.根据权利要求1的设备，进一步包括布置在至少一个加热元件和至少一个基板之间的一个以上介入层。

7.根据权利要求1的设备，进一步包括布置在所述第一加热元件和所述第一基板之间的分隔层，所述分隔层适于在所述加热元件和所述第一基板之间提供基本上均匀的压力。

8.根据权利要求1的设备，进一步包括布置在所述第二加热元件和所述第三基板之间的分隔层，所述层适于在所述加热元件和所述第三基板之间提供基本上均匀的压力。

9.一种气相色谱加热设备，包括：

第一柱加热设备，所述第一柱加热设备包括第一基板、第二基板和布置在所述第一基板和所述第二基板之间的第一加热元件，所述第二基板包括所有以下属性：25℃时的体积热容量小于25℃时的热导率大于25℃时的热导率与热膨胀系数之比大于近似机械刚度大于100GPa；

第二柱加热设备，所述第二柱加热设备包括第三基板、第四基板和布置在所述第三基板和所述第四基板之间的第二加热元件，所述第四基板包括所有以下属性：25℃时的体积热容量小于25℃时的热导率大于25℃时的热导率与热膨胀系数之比大于近似机械刚度大于100GPa。

10.根据权利要求9的设备，其中，所述第一和第二加热元件每个都相对它们各自的基板电气绝缘。

11.根据权利要求9的设备，其中，所述第一和第二加热元件每个都包括箔片加热器或者金属丝加热器。

12.根据权利要求9的设备，其中，所述第一和第三基板包括所有以下属性：25℃时的体积热容量小于25℃时的热导率大于25℃时的热导率与热膨胀系数之比大于近似机械刚度大于100GPa。

13.根据权利要求9的设备，进一步包括布置在所述第一加热元件和所述第一基板之间的层，所述层适于在所述加热元件和所述第一基板之间提供基本上均匀的压力。

14.根据权利要求9的设备，进一步包括布置在所述第二加热元件和所述第三基板之间的层，所述层适于在所述加热元件和所述第三基板之间提供基本上均匀的压力。

15.一种气相色谱加热设备，包括：

第一柱加热设备，所述第一柱加热设备包括第一基板、第二基板和布置在所述第一基板和所述第二基板之间的第一加热元件，所述第二基板选自以下材料中的一种：氮化铝，金刚石，碳化硅，钨，钼，钨合金，钼合金，上述材料的组合；

第二柱加热设备，所述第二柱加热设备包括第三基板、第四基板和布置在所述第三基板和所述第四基板之间的第二加热元件，所述第四基板选自以下材料中的一种：氮化铝，金刚石，碳化硅，钨，钼，钨合金，钼合金，上述材料的组合。

16.根据权利要求15的设备，其中，所述钨合金或所述钼合金包括铜。