[发明专利]用于通过有条件地修整而减小存储设备的声明容量的过程和装置

说明书

系统、方法和/或设备用于减小存储系统中的存储设备的非易失性存储器的声明容量。一方面，所述方法包括：检测改善触发；以及根据所述检测到的改善触发，执行用于减小所述存储设备的所述非易失性存储器的声明容量的改善过程，包括：获取所述存储设备的所述非易失性存储器的目标容量和所述存储设备的所述非易失性存储器的当前利用率，其中，所述目标容量低于所述存储设备的所述非易失性存储器的当前容量，并且所述当前利用率与逻辑地址空间中的已分配逻辑地址相对应；根据确定所述目标容量不大于所述当前利用率，修整所述已分配逻辑地址的至少一部分；以及减小所述存储设备的所述非易失性存储器的声明容量。

技术领域

所公开的实施例总体上涉及存储器系统，并且具体地涉及减小存储设备(例如，包括一个或多个闪存设备)的声明容量。

背景技术

半导体存储器设备(包括闪存)通常利用存储器单元来将数据存储为电性值，如电荷或电压。闪存单元例如包括具有用于存储表示数据值的电荷的浮栅的单个晶体管。闪存是可以被电擦除和重新编程的非易失性数据存储设备。更一般地，与需要电力来维持存储信息的易失性存储器相反，即使断电时，非易失性存储器(例如，闪存以及使用各种技术中的任何技术实现的其他类型的非易失性存储器)仍然保持所存储的信息。已经采用各种方式来促进存储密度的增加，包括：增加芯片上的通过制造发展而启动的存储器单元的密度，以及从单级闪存单元到多级闪存单元的转变，从而使得每个闪存单元可以存储两个或更多个比特。

闪存单元的反复擦除和重新编程引起电荷存储能力的降级(磨损)。最终，电荷存储能力降级到其变得不可能或无法恢复原始数据的点处(例如，不可恢复的码字从闪存设备中被读取、要求恢复码字的计算资源超过预定义的阈值、或者针对闪存设备的程序擦除(P/E)周期计数超过阈值)并且所述设备被认为已磨损。磨损均衡技术经常用于跨闪存设备的多个部分来使磨损分布开。在典型系统中，一旦达到闪存设备的一部分的磨损极限，整个闪存设备就被认为已经故障。

发明内容

所附权利要求书的范围内的系统、方法和设备的各个实施例各自具有若干方面，其中这些方面中没有哪个单个方面单独地负责在此所描述的属性。不限制所附权利要求书的范围，在考虑本公开之后，并且具体地在考虑标题为“具体实施方式”的部分之后，将理解如何使用各个实施例的各个方面来使能够减小存储设备的声明容量。一方面，检测用于减小存储系统中的存储设备的非易失性存储器的声明容量的改善触发，并且根据检测到的改善触发执行用于减小存储设备的非易失性存储器的声明容量的改善过程。

附图说明

为了可以更详细地理解本公开，可参考各个实施例的特征以产生更具体的说明，所述实施例中的一些被展示在附图中。然而，附图仅展示了本公开的相关特征，并且因此不应被认为是限制性的，因为说明书可以允许其他有效的特征。

图1A是框图，展示了根据一些实施例的数据存储系统的实施方式。

图1B是框图，展示了根据一些实施例的数据存储系统的实施方式。

图1C是框图，展示了根据一些实施例的数据存储系统的实施方式。

图2A-1是框图，展示了根据一些实施例的管理模块的实施方式。

图2A-2是框图，展示了根据一些实施例的管理模块的实施方式。

图2B-1是框图，展示了根据一些实施例的系统管理模块的实施方式。

图2B-2是框图，展示了根据一些实施例的系统管理模块的实施方式。

图2C-1是框图，展示了根据一些实施例的集群管理模块的实施方式。

图2C-2是框图，展示了根据一些实施例的集群管理模块的实施方式。

图2D是框图，展示了根据一些实施例的包括在图2A-1和图2A-2中的改善模块的实施方式。