[发明专利]集积式CMOS及MEMS传感器制作方法与结构有效
| 申请号： | 201580047745.6 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106660782B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | P·斯迈斯 | 申请（专利权）人： | 因文森斯公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集积式 cmos mems 传感器 制作方法 结构 | ||
1.一种提供CMOS-MEMS结构的方法，其包含：
图型化MEMS致动器层上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属以产生经图型化的第一顶端金属及经图型化的第二顶端金属；其中该MEMS致动器层及该CMOS衬底于其上包括氧化层，其围绕该经图型化的第一顶端金属及该经图型化的第二顶端金属；
蚀刻该MEMS致动器层及该CMOS衬底上的该氧化层的部分；
利用第一接合步骤将该MEMS致动器层的该经图型化的第一顶端金属接合至该CMOS衬底的该经图型化的第二顶端金属；
蚀刻该MEMS致动器层以释离可动结构；以及
利用第二接合步骤将该MEMS致动器层接合至MEMS握把层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻该氧化层的步骤包括在该CMOS衬底及该MEMS致动器层上提供至少一个隔绝体。
3.如权利要求2所述的方法，其中，该至少一个隔绝体包括该经图型化的第一顶端金属或该经图型化的第二顶端金属。
4.如权利要求1所述的方法，更包括在该第一接合步骤之后将该MEMS致动器层研磨至所欲厚度。
5.如权利要求4所述的方法，其中，该所欲厚度介于10微米与100微米之间。
6.如权利要求1所述的方法，更包括在该第二接合步骤前先提供一凹穴于MEMS握把层中，并且氧化该MEMS握把层。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该第一接合步骤包含第一低温接合，且其中，该第二接合步骤包含第二低温接合。
8.如权利要求7所述的方法，其中，该第一低温接合包含压缩接合，且其中，该第二低温接合包含熔融接合。
9.如权利要求1所述的方法，其中，该第一与第二接合步骤的温度介于摄氏150度与摄氏400度之间。
10.如权利要求1所述的方法，其中，该经图型化的第一顶端金属与该经图型化的第二顶端金属包含铜(Cu)或镍(Ni)中的至少一者。
11.如权利要求1所述的方法，其中，该图型化步骤包含镶嵌图型化步骤。
12.如权利要求1所述的方法，其中，该经图型化的第一与第二顶端金属用于电连接该MEMS致动器层与该CMOS衬底。
13.如权利要求1所述的方法，其中，该第一与第二接合步骤对该CMOS-MEMS结构提供气密封。
14.如权利要求1所述的方法，其中，隔绝体在该可动结构与该CMOS衬底之间界定间隙。
15.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻该氧化层的步骤形成凸块止挡部。
16.如权利要求1所述的方法，其中，该CMOS衬底的该第一顶端金属上设置有接触层。
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