[发明专利]用于基板热处理的基座与预热环在审
| 申请号: | 201580047554.X | 申请日: | 2015-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN106716607A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
| 发明(设计)人: | 刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;阿伦·米勒 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/683;H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 热处理 基座 预热 | ||
1.一种用于基板处理腔室的基座,包括:
外侧周边边缘,所述外侧周边边缘围绕凹处,其中所述凹处具有凹形表面,所述凹形表面从所述外侧周边边缘凹陷;以及
成角度的支撑表面,所述成角度的支撑表面设置于所述外侧周边边缘和所述凹处之间,其中所述成角度的支撑表面相关于所述外侧周边边缘的水平表面而倾斜。
2.如权利要求1所述的基座,其中所述凹形表面具有约34,000mm至约35,000mm的表面半径。
3.如权利要求1所述的基座,进一步包括:
突出部分,所述突出部分设置于所述凹形表面的外径和所述外侧周边边缘的内径之间。
4.如权利要求3所述的基座,其中所述突出部分的内径为所述外侧周边边缘的内径的约90%至约97%。
5.如权利要求4所述的基座,其中所述外侧周边边缘的所述内径为所述外侧周边边缘的外径的约75%至约90%。
6.如权利要求1所述的基座,其中所述外侧周边边缘的顶表面高于所述成角度的支撑表面少于约3mm的尺寸。
7.如权利要求1所述的基座,进一步包括圆角半径,所述圆角半径形成在所述外侧周边边缘和所述倾斜支撑表面之间的界面处。
8.如权利要求7所述的基座,其中所述成角度的支撑表面相关于所述外侧周边边缘的所述水平表面倾斜约1度至约10度。
9.如权利要求7所述的基座,其中所述成角度的支撑表面从所述圆角半径朝所述凹形表面径向向内地延伸。
10.如权利要求9所述的基座,其中所述成角度的支撑表面终止于所述凹形表面的外径处。
11.一种用于基板处理腔室的预热环,包括:
圆形主体,所述圆形主体包括外侧周边边缘,所述外侧周边边缘围绕开口,其中所述外侧周边边缘包括顶表面和底表面,所述底表面平行于所述顶表面;以及
凹部,所述凹部形成于所述外侧周边边缘的所述底表面中,其中所述顶表面从所述圆形主体的边缘向内地延伸第一径向宽度至所述开口,所述底表面从所述圆形主体的所述边缘向内地延伸第二径向宽度至所述凹部,且所述第一径向宽度大于所述第二径向宽度,其中所述圆形主体包括第一厚度和第二厚度,且所述第二厚度为所述第一厚度的约75%至约86%。
12.如权利要求11所述的预热环,其中所述外侧周边边缘的所述内径为所述外侧周边边缘的外径的约80%至约90%。
13.如权利要求12所述的预热环,其中所述凹部的外径为所述外侧周边边缘的所述外径的约90%至约98%。
14.如权利要求11所述的预热环,进一步包括圆角半径,所述圆角半径位于所述凹部的转角处。
15.如权利要求14所述的预热环,其中所述圆角半径为约0.5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580047554.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





