[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其向设置于反应炉内的基板供给原料气体而进行对所述基板的成膜处理，

所述半导体制造装置的特征在于，具备：

收纳容器，其配置于所述反应炉内，且收容成为所述原料气体的来源的金属原料；

辅助容器，其在所述反应炉内配置于所述收纳容器的上方侧，是具有所述金属原料的放入口的有底容器；

连接管，其使形成于所述辅助容器的所述金属原料的流出口与所述收纳容器内相连通；

封堵栓，其以能够对所述流出口进行开闭的方式封堵该流出口；以及

加热部，其将所述反应炉内加热至使所述辅助容器内的所述金属原料以及所述收纳容器内的所述金属原料熔融且对所述基板进行的成膜处理所需的规定温度。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

所述流出口形成于所述辅助容器的底部。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

所述反应炉具有所述基板的搬入搬出口，该搬入搬出口构成为开闭自如，

所述辅助容器配置于所述搬入搬出口的附近或者配置于在基板搬入搬出时能够操作的部位。

4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，

所述反应炉具有所述基板的搬入搬出口，该搬入搬出口构成为开闭自如，

所述辅助容器配置于所述搬入搬出口的附近或者配置于在基板搬入搬出时能够操作的部位。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述辅助容器具有对所述放入口进行封闭的盖体。

6.根据权利要求5所述的半导体制造装置，其中，

所述盖体具有引导所述封堵栓对所述流出口的开闭动作的引导孔。

7.根据权利要求5所述的半导体制造装置，其中，

所述半导体制造装置具备净化处理部，该净化处理部向所述反应炉内的所述辅助容器的周围供给不活泼气体。

8.根据权利要求6所述的半导体制造装置，其中，

所述半导体制造装置具备净化处理部，该净化处理部向所述反应炉内的所述辅助容器的周围供给不活泼气体。

9.根据权利要求7所述的半导体制造装置，其中，

所述盖体具有使所述不活泼气体通过的贯通孔。

10.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其中，

所述盖体具有使所述不活泼气体通过的贯通孔。

11.一种半导体制造方法，其特征在于，包括如下工序：

将基板设置于反应炉内的规定部位，其中，在所述反应炉中内设有收容金属原料的收纳容器；

针对具有所述金属原料的放入口以及经由连接管而与所述收纳容器内相连通的所述金属原料的流出口的辅助容器，在由封堵栓封堵了该流出口的状态下，从所述放入口向该辅助容器放入所述金属原料，其中，所述辅助容器为有底容器且在所述反应炉内配置于所述收纳容器的上方侧，所述封堵栓以能够对所述流出口进行开闭的方式封堵该流出口；

将所述反应炉内加热至使所述辅助容器内的所述金属原料以及所述收纳容器内的所述金属原料熔融且对所述基板进行的成膜处理所需的规定温度；

向所述收纳容器内供给气体而使该气体与所述金属原料反应来生成原料气体，将该原料气体从所述收纳容器内排出并向所述基板供给，由此进行对该基板的成膜处理；

将进行了所述成膜处理之后的所述基板从所述反应炉内搬出；以及

使封堵着所述流出口的所述封堵栓成为打开状态，从而将所述辅助容器内的所述金属原料经由所述流出口以及所述连接管向所述收纳容器内补充。

12.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其中，

从所述辅助容器的所述放入口放入的所述金属原料是固化物。