[发明专利]SOI晶圆的制造方法

说明书

一种SOI晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI晶圆的旋转位置，使SOI晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。

技术领域

本发明涉及一种绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator，以下简称为SOI)晶圆的制造方法，特别是关于被称为FDSOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator：全空乏SOI)的被要求有极高SOI层膜厚度的均一性的SOI晶圆的制造方法。

背景技术

根据现有技术，作为将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI层薄膜化的方法之一，进行将SOI晶圆以批次(batch)式热处理炉进行热处理，借由氧化SOI层表面的Si而使变质成氧化膜之后，去除此氧化膜的方法(即所谓的牺牲氧化处理)。

借由此方法将SOI膜厚度高精度地薄膜化至目标值，必须经由正确地调控来使氧化膜厚度达到目标值。然而，实际上由于氧化过程中的大气压的变动会导致氧化率变化的缘故，要对经由热处理而成长的氧化膜厚度进行正确地调控是件非常困难的事。因此，借由氧化膜的形成与去除来进行薄膜化的情形下，会采取使薄膜化处理后的SOI膜厚度比目标值稍(约3nm左右)厚来进行借由氧化膜的形成与去除的薄膜化，之后再另外调控蚀刻时间来借由蚀刻(etching)的薄膜化以达到目标值的方法。

在这两阶段薄膜化的方法中，如专利文献1所示，所采取的是于去除氧化后的氧化膜之后测定SOI膜厚度，以该值为基础，设定下个阶段的蚀刻处理的加工量的方法。

再者，于借由氧化膜的形成与去除以及蚀刻的该两阶段薄膜化处理中，作为缩短步骤的方法，提出有：于氧化后仍带有氧化膜的状态下测定SOI层的膜厚度，基于所测定出的SOI层的膜厚度，以洗净的同一批处理进行氧化膜去除以及蚀刻，还有洗净处理的方法。

再者，除了借由氧化膜的形成与去除以及批次式洗净所进行的薄膜化之外，也提出有使用单片式的蚀刻装置来控制SOI层的薄膜化的方法(专利文献2)。

然而，即使借由这些方法高精度地调控SOI层的膜厚度，平面内加工量不均依然会发生在氧化膜的形成、去除或蚀刻等的薄膜化处理当中，而导致薄膜化处理后的SOI层的平面内膜厚度分布的恶化。例如于FD-SOI晶圆之类的晶圆平面内的全点在目标的SOI膜厚度±0.5nm以内之类的有高精度的膜厚度均一性的必要的状况下，会有无法满足膜厚度均一性的要求的问题。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2007-266059号公报

[专利文献2]日本特开2010-092909号公报

发明内容

本发明为解决前述问题，目的在于提供一种SOI晶圆的制造方法，能够制造在薄膜化处理后的SOI层的平面内膜厚度均一性良好的SOI晶圆。

为解决上述的问题，本发明提供一种SOI晶圆的制造方法，具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理，其中该SOI晶圆的制造方法包含：

(A1)测定步骤，将形成有该SOI层的SOI晶圆在该薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；