[发明专利]低照度用染料敏化光电转换元件的电解质、以及使用该电解质的低照度用染料敏化光电转换元件有效
| 申请号： | 201580046887.0 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106663546B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 胜亦健治;松本大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电解质 染料敏化光电转换元件 低照度 卤化银 卤化物盐 氧化还原 | ||
1.一种低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其包含：
卤素、
与所述卤素一起形成氧化还原对的卤化物盐、以及
卤化银，
所述卤化银的浓度为0.0001～10mM。
2.根据权利要求1所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其中，所述卤化银的浓度与所述卤素的浓度之比大于1×10-5倍。
3.根据权利要求2所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其中，所述卤化银的浓度与所述卤素的浓度之比为2×10-5倍以上。
4.根据权利要求2所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其中，所述卤化银的浓度与所述卤素的浓度之比为1倍以下。
5.根据权利要求3所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其中，所述卤化银的浓度与所述卤素的浓度之比为1倍以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其中，所述卤化银的浓度为0.0001～0.01mM。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其中，构成所述卤化银的卤素原子与构成所述卤素及所述卤化物盐的卤素原子相同。
8.根据权利要求6所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质，其中，构成所述卤化银的卤素原子与构成所述卤素及所述卤化物盐的卤素原子相同。
9.一种低照度用染料敏化光电转换元件，其具备至少一个染料敏化光电转换单元，
所述染料敏化光电转换单元具备：
第1电极、
与所述第1电极对置的第2电极、
设置于所述第1电极或所述第2电极的氧化物半导体层、以及
设置于所述第1电极与所述第2电极之间的电解质，
所述电解质由权利要求1～8中任一项所述的低照度用染料敏化光电转换元件的电解质构成。
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