[发明专利]数据存储设备的锁存器初始化

说明书

一种数据存储设备可以包括存储器管芯。所述存储器管芯包括存储器和锁存器。一种方法可以包括：接收与将信息写入所述存储器中的写入操作相对应的命令。所述方法可以进一步包括：在于所述存储器管芯处接收所述信息之前，将位集加载到所述锁存器中。所述位集至少包括具有第一值的第一位以及具有与所述第一值不同的第二值的第二位。所述方法进一步包括：在所述存储器管芯处接收所述信息以及用所述信息在所述锁存器处覆写所述位集的至少一部分。

技术领域

本公开总体上涉及一种数据存储设备并且更具体地涉及数据存储设备的锁存器初始化。

背景技术

非易失性数据存储设备已经使数据和软件应用的增加可移植性成为可能。例如，存储器设备的多级存储单元(MLC)存储元件可以各自存储指示多个数据位的值，从而相比单级单元(SLC)存储器设备增强了数据存储密度。因此，存储器设备可以使用户存储并访问大量的数据。在一些情况中，数据可以包括连续值序列(例如，逻辑“0”值字符串或者逻辑“1”值字符串)。

将公共值存储在多个相邻的存储元件中可以如通过在一些存储器设备中引起较大泄漏电流而使存储器设备的性能降级。为了说明，在电阻式随机存取存储器(ReRAM)中，将一列存储元件编程为低阻状态可能产生较大的泄漏电流。此外，将公共值存储在多个相邻的存储元件中可以在一些存储器设备中引起干扰效应。例如，如果相邻的存储元件被编程为公共值，则闪存设备的存储元件可能更倾向于产生交叉耦合效应(并因此读取误差和解码误差)。

为了避免对相邻存储元件编程公共值，一些存储器设备对有待存储的数据进行扰码或塑形。在一些情况下，这种技术可能仍导致将公共值编码给相邻的存储元件，如，在有待写入的数据中存在“间隙”的情况(在这种情况中，重复的“默认”值序列可以代替间隙被写入，如，逻辑“0”值或逻辑“1”值的序列)。一些存储器设备可以在这种间隙中插入伪数据，以避免编程默认的公共值序列。然而，将伪数据从控制器发送至存储器可以使用存储器设备处的大量资源(例如，通过使用电源来经由总线在控制器与存储器之间传送伪数据)。

发明内容

一种数据存储设备，包括存储器管芯。所述存储器管芯可以包括存储器、锁存和初始化电路，所述初始化电路对所述锁存器进行初始化以进行将信息写入所述存储器中的写入操作。可以使用具有多个位值(例如，第一位值以及不同于所述第一位值的第二位值)的位集(例如，随机化位序列或位模式)对锁存器进行初始化。例如，所述位集可以是由存储器管芯生成的或从存储器管芯检索到的随机的或伪随机的位序列。在将所述位集加载到锁存器中之后，有待写入存储器中的信息可以由数据存储设备的控制器或由主机设备提供给锁存器(例如，以覆写所述位集)。所述信息然后可以被编程到存储器，如使用存储器管芯的读/写电路。

如果信息的位长小于锁存器的存储大小，则当将存储在存储器中的信息加载到锁存器中时可能存在“间隙”。在这种情况下，使用具有多个值的位集来对锁存器进行初始化可以避免将公共值序列(例如，默认的逻辑“0”值或逻辑“1”值序列)编程到存储器中，因此在存储器处减小了泄漏电流和/或读取干扰效应(例如，如果包括1和0的随机化位序列或位模式被编程到相邻的存储元件中而不是将公共值编程到相邻的存储元件中)。在一些实施方式中，存储器可以具有多级存储单元(MLC)配置，并且有待写入存储器中的信息可以包括多个逻辑页，所述逻辑页被锁存到存储器的多个锁存器中。在这种情况下，在将多个逻辑页存储到多个锁存器中之前，不同的随机化位序列可以用于对每个锁存器进行初始化。以下参照附图描述了其他示例。

附图说明

图1是一种包括可以被配置成用于使用具有多个值的位集对锁存器进行初始化的数据存储设备的系统的具体说明性实施例的框图；

图2是可以包括在图1的数据存储设备中的存储器管芯的一部分的说明性实施例的简图；

图3是可以包括在图1的数据存储设备中的存储器管芯的一部分的另一个说明性实施例的简图；以及