[发明专利]单晶硅的制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅的制造方法，在该单晶硅的制造方法中，对收纳在坩锅中的硅原料进行加热使其成为硅融液，一边用该硅融液拉制出单晶硅棒一边使该单晶硅棒成长，该单晶硅的制造方法的特征在于，

使用利用西门子法制造出的多晶硅棒中的、位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的破碎物来作为该硅原料的至少一部分，

所述破碎物的碳浓度为0.04ppma～2.8ppma，

作为所述破碎物，使用通过如下方式制造出的破碎物，即，从自多晶硅棒切出的棒末端部，将埋入所述棒末端部的碳制芯线保持部件与环绕该碳制芯线保持部件的多晶硅一起取芯，对得到的棒末端部中空体进行破碎。

2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，

所述单晶硅棒的直体部的实质全部区域的碳浓度为0.01ppma～1ppma。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅的制造方法，其中，

所述破碎物的粒度为，至少90质量％的所述破碎物的长径的长度为2mm～50mm。

4.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，

对利用西门子法制造出的多晶硅棒中的、位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的碳浓度分布进行测量，

在基于该碳浓度分布，利用在与该多晶硅棒相同的硅析出炉中以及在相同的析出条件下制造出的其它的多晶硅棒，通过权利要求1所述的方法制造所述破碎物之际，使取芯的口径变化，

使用由此得到的碳浓度已被调整好的破碎物作为硅原料的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的单晶硅的制造方法，其中，

通过多次拉制来进行单晶硅的制造，将所述碳浓度已被调整好的破碎物使用于所述多次拉制中的再装填用的硅原料。

6.根据权利要求1或2所述的单晶硅的制造方法，其中，

得到太阳能电池的基板制造用的单晶硅。