[发明专利]元件制造方法及转印基板有效
| 申请号： | 201580045821.X | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106605294B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 奈良圭;中积诚;西康孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元件 制造 方法 转印基板 | ||
1.一种元件制造方法，将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于第1基板上后，将前述积层构造体转印至第2基板上，其特征在于，具备：
第1步骤，藉由于前述第1基板上形成导电性材料所形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成绝缘性及半导体的至少一材料所形成的功能层，于前述功能层上形成导电性材料所形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及
第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将前述积层构造体转印至前述第2基板，
于前述第1步骤与前述第2步骤之间或前述第2步骤之后，具备对前述第2导电层或前述第1导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成用以检测前述第2基板位置的对准标记的第3步骤。
2.如权利要求1所述的元件制造方法，其具备第4步骤，该第4步骤是从成为转印至前述第2基板的前述积层构造体的表面的前述第1导电层侧，对前述积层构造体施以追加处理。
3.如权利要求2所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是薄膜晶体管；
前述第1步骤包含对前述第2导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成栅极电极的步骤；
前述第4步骤包含对前述积层构造体的前述第1导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成源极电极及漏极电极的步骤。
4.如权利要求3所述的元件制造方法，其中，将前述功能层以绝缘层或半导体层与绝缘层的积层来构成。
5.如权利要求3所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是底接触型的薄膜晶体管；
前述功能层藉由绝缘性材料构成；
前述第4步骤包含在前述源极电极及前述漏极电极之间形成半导体层的步骤。
6.如权利要求3所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是顶接触型的薄膜晶体管；
前述功能层是以使用半导体材料堆积于前述第1导电层上的半导体层、与使用绝缘性材料堆积于前述半导体层上的绝缘层构成。
7.如权利要求1所述的元件制造方法，其中，前述电子元件是顶接触型的薄膜晶体管；
前述第1步骤，是在形成前述功能层前，对前述第1导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成源极电极及漏极电极后，于前述源极电极及前述漏极电极之间形成半导体层；
在形成前述第2导电层后，对前述第2导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成栅极电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
